GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术  

In Situ Doping Control Technique of SiGe/Si Materials by GSMBE

作　　者：黄大定[1] 刘超[1] 李建平[1] 高斐[1] 孙殿照[1] 朱世荣[1] 孔梅影[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所材料中心,北京100083

出　　处：《固体电子学研究与进展》2003年第2期142-144,共3页Research & Progress of SSE

摘　　要：在特定温控下对掺杂气体分子的状态和活性进行控制 ,建立了一套具有自主知识产权的气源分子束外延工艺生长 Si Ge/Si材料的原位掺杂控制技术。采用该技术生长的 Si Ge/Si HBT外延材料 ,可将硼杂质较好地限制在 Si Ge合金基区内 ,并能有效地提高磷烷对 N型掺杂的浓度和外延硅层的生长速率 ,获得了理想 N、P型杂质分布的 Si Ge/SiControlling states and activities of the doping gases at a specified temperature,an in situ doping control technique of SiGe/Si materials by GSMBE with knowledge property right of our own is proposed.In the materials the boron impurity is confined successfully in SiGe alloy base and the N type Si doping concentration by PH 3 and the growing rate of Si layer are increased efficiently.A SiGe/Si HBT epitaxial material with ideal distribution of N and P type impurities is grown.

关 键 词：GSMBE SiGe/Si材料 原位掺杂 控制技术 气源分子束外延 异质结双极晶体管 锗硅合金材料 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学] TN304.054