GSMBE InGaP/GaAs材料大面积均匀性研究  

Uniformity in GSMBE Grown InGaP/GaAs Structures

作　　者：李爱珍[1] 李华[1] 李存才[1] 胡建[1] 唐雄心[1] 齐鸣[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050

出　　处：《稀有金属》2004年第3期569-571,共3页Chinese Journal of Rare Metals

基　　金：中国科学院重大基础项目和 973项目 (KY 95 1 B1 70 6;G2 0 0 0 0 683 0 4

摘　　要：报道了气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长的Φ5 0mm ,Φ75mmInGaP/GaAs材料的晶体完整性 ,组分均匀性和表面缺陷密度。用PhilipsX Pert′s四晶衍射仪沿Φ5 0mm ,Φ75mmInGaP/GaAs样品的x轴和y轴以 5mm间隔测量ω/2θ双晶摇摆曲线 ,获得沿x轴和y轴方向的晶格失配度分布和组分涨落分布。结果表明 ,用GSMBE生长的Φ5 0mm和Φ75mmIn0 .4 9Ga0 .51 P与GaAs衬底的失配度分别为 1× 10 - 4和 1× 10 - 5,组分波动Φ5 0mm沿x轴和y轴分别为± 0 .1%和± 0 .2 % ,Φ75mm <± 1%。表面缺陷密度在 1× 10～ 1× 10 2 cm- 2 。The uniformity of Φ50 mm and Φ75 mm InGaP/GaAs grown by gas source molecular beam epitaxy was investigated. The lattice mismatch of 1×10^(-4) to 1×10^(-5) and the uniformity of gallium constituent better than 0.1% for Φ50 mm and 1.0% for (Φ75 mm) of InGaP/GaAs were achieved by an optimized gas source molecular beam epitaxy growth parameters. The surface dislocation density of few tens to 1×10~2 cm^(-2) were obtained by using standard effusion cell for Ga and In.

关 键 词：INGAP 均匀性 气态源分子束外延 X射线双晶衍射 INGAP/GAAS 

分 类 号：TN405.984[电子电信—微电子学与固体电子学]