高质量氮化镓材料的光致发光研究  

STUDY ON PHOTOLUMINESCENCE OF HIGH QUALITY GaN

作　　者：王军喜[1] 孙殿照[2] 王晓亮[2] 刘宏新[2] 刘成海[2] 曾一平[2] 李晋闽[2] 侯洵[3] 林兰英[2] 

机构地区：[1]西北大学光子学与光子技术研究所,陕西西安710069 [2]中国科学院半导体研究所材料中心,北京100083 [3]中国科学院西安光学与精密机械研究所,陕西西安710068

出　　处：《应用光学》2001年第2期35-38,共4页Journal of Applied Optics

摘　　要：利用氨气源分子束外延 ( GSMBE)技术 ,在改型 型分子束外延设备上生长高质量 Ga N单晶外延材料 ,并对样品进行了光致发光测量。分析室温和低温光致发光谱 ,系统地研究 Ga N的发光峰及其起源 ,并对常见的黄色发光带现象及其微结构起因进行探讨。The high quality GaN epilayers grown on (0001) sapphire substrates using a modified home-made gas source MBE system are investigated by room and low temperature photoluminescence(PL).The origins of the different peaks in the PL spectra of the high quality GaN films are systematically analyzed,and the origin of always observed strong yellow luminescence centered at 2.2eV is studied.

关 键 词：氮化镓 光致发光 分子束外延 发光峰 黄色发光带 GSMBE 光电器件 

分 类 号：TN304.235[电子电信—物理电子学] TN383.2