InP基及含磷化合物HBT材料的GSMBE生长与特性  

Growth and Characterization of InP-Based and Phosphorous-Involved HBT Materials by GSMBE

作　　者：齐鸣[1] 徐安怀[1] 艾立鹍[1] 孙浩[1] 朱福英[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期182-185,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2002CB311902)

摘　　要：通过对外延材料结构设计和GSMBE生长工艺的深入研究,解决了生长InP基及含磷化合物HBT外延材料的关键问题,建立了稳定优化的GSMBE生长工艺,研制出性能优良的φ50mm InP基HBT和φ100mm InGaP/GaAs HBT外延材料.所发展的GSMBE外延技术,在As/P气氛切换、基区p型重掺杂扩散抑制、双异质结HBT结构设计等方面具有自己的特色.器件单位采用所提供的外延材料研制出的InP基HBT和InGaP/GaAs HBT器件与电路,达到了目前采用国产HBT外延材料研制的最好水平.

关 键 词：InP INGAP GaAs GSMBE HBT 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]