Ultra High-Speed InP/InGaAs SHBTs with f_t of 210GHz  

f=210GHz的超高速InP/InGaAs单异质结晶体管(英文)

作　　者：程伟[1] 金智[1] 刘新宇[1] 于进勇[1] 徐安怀[2] 齐鸣[2] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029 [2]中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050

出　　处：《Journal of Semiconductors》2008年第3期414-417,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：PolYimide passivation and planarization process techniques for high speed InP/InGaAs single heterojunction bipolar transistors （SHBTS） are developed. A maximum extrapolated ft of 210GHz is achieved for the SHBT with 1.4μm × 15μm emitter area at VCE = 1. 1V and Ic = 33.5mA. This device is suitable for high speed and low power applications,such as ultra high speed mixed signal circuits and optoelectronic communication ICs.成功地将Polyimide钝化平坦化工艺应用于InP/InGaAs单异质结晶体管制作工艺中.在Vce=1.1V,Ic=33.5mA的偏置条件下,发射极尺寸为1.4μm×15μm的器件,其ft达到210GHz.这种器件非常适合高速低功耗方面的应用,例如超高速数模混合电路以及光学通信系统等.

关 键 词：INP HBT POLYIMIDE PLANARIZATION 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]