1～26．5GHz GaAs PIN单刀单掷开关单片  

1～26.5 GHz GaAs PIN Diode SPST Switch MMIC

作　　者：陈新宇[1] 冯欧[1] 蒋幼泉[1] 许正荣[1] 黄子乾[1] 李拂晓[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2007年第1期37-39,62,共4页Research & Progress of SSE

摘　　要：采用GaAsPIN二极管，完成1～26．5GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作。SPST开关单片带内插损小于0．5dB，驻波优于1．1，隔离度大于27dB，在10～26．5GHz，隔离度大于37dB。开关单片采用MOCVD生长的GaAs纵向PIN二极管材料结构，Ф76mm GaAs圆片工艺加工制作。Wide band GaAs PIN diode SPST switch MMIC is presented in this paper. The insertion loss is less than 0.5 dB, VSWR is better than 1.1, isolation is better than 27 dB for 1- 26.5 GHz frequency range, and isolation is better than 37 dB for 10-26.5 GHz frequency range. These results are obtained using a vertical PIN diode process on MOCVD material.

关 键 词：砷化镓 PIN二极管 单刀单掷 开关 单片 

分 类 号：TN312.4[电子电信—物理电子学]