碳掺杂AlGaAs的MOCVD生长及808nm大功率激光器  

Growth of C-doped AlGaAs by Lp-MOCVD and Fabrication of High-power 808 nm AlGaAs/GaAs Semiconductor Laser

作　　者：王向武[1] 张岚[1] 黄子乾[1] 潘彬[1] 李肖[1] 李忠辉[2] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,南京210016 [2]长春光学精密机械学院,长春130022

出　　处：《固体电子学研究与进展》2004年第2期219-222,共4页Research & Progress of SSE

摘　　要：用 CCl4 作为掺杂剂 ,进行了掺碳 Al Ga As层的 LP-MOCVD生长 ,并对其掺杂特性进行了研究 ,分析了各生长参数对掺杂的影响 ;研制了碳掺杂 Al Ga As限制层 80 8nm大功率半导体激光器 ;激光器单面连续波输出功率大于 1 W,功率效率为 0 .7W/ A。The C-doped AlGaAs layer was grown by MOCVD. The doping characteristics were investigated. High-power 808 nm AlGaAs/GaAs laser was fabricated whose threshold current is 250～300 mA and CW output power is 1 W.

关 键 词：金属有机化合物化学气相沉积 铝镓砷 碳掺杂 激光器 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]