MOCVD生长AlGaN／GaN／Si(111)异质结材料  

AlGaN/GaN Heterostructure on Si(111) Substrate Grown by MOCVD

作　　者：李忠辉[1] 李亮[1] 董逊[1] 李赟[1] 张岚[1] 许晓军[1] 姜文海[1] 陈辰[1] 

机构地区：[1]单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2009年第4期608-610,共3页Research & Progress of SSE

基　　金：江苏省自然科学基金资助项目(BK2007012);国家自然科学基金资助项目(60807038)

摘　　要：利用MOCVD在Si(111)衬底上生长了无裂纹的GaN外延薄膜和AlGaN/GaN异质结构。通过优化Si衬底的浸润处理时间、AlN层厚度等参数获得了无裂纹的GaN外延薄膜,研究了SiN缓冲层和插入层厚度对AlGaN/GaN异质结电学性质的影响,2DEG的迁移率和面密度分别达到1410cm2/V.s和1.16×1013cm-2。Free-crack GaN and A1GaN/GaN heterostructure on Si substrates were grown by MOCVD. The SiN buffer layer can improve crystalline quality and electric characteristics of AlGaN/GaN heterostructure. The two-dimension electron gas （2DEG） mobility and sheet charge density achieved around 1 410 cm2/V · s and 1.16 ×10^13cm-2 at room temperature, respectively, Structural and electrical properties determined by XRD and van der Pauw Hall method were presented.

关 键 词：氮化镓 高电子迁移率晶体管 二维电子气 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]