4H-SiC MESFET器件工艺  

4H-SiC MESFET Device Process

作　　者：陈刚[1] 柏松[1] 张涛[1] 汪浩[1] 李哲洋[1] 蒋幼泉[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室,南京,210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室,南京,210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室,南京,210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室,南京,210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室,南京,210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室,南京,210016

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期565-567,共3页半导体学报（英文版）

摘　　要：介绍了制作4H-SiC MESFET器件的关键工艺.通过改进工艺,采用半绝缘衬底的国产SiC三层外延片,制造出总栅宽为1mm,2GHz连续波下输出功率大于4W,小信号增益大于10dB的SiC MESFET.

关 键 词：4H-SIC 金属半导体场效应管 微波 宽禁带半导体 

分 类 号：TN304.2+4[电子电信—物理电子学]