电子物理学——基于流体动力学模型的2维砷化镓金属半导体场效应管数值模拟  

2D hydrodynamic simulation of GaAs metal- semiconductor-field-effect-transistor

作　　者：贡顶[1] 韩峰[1] 王建国[1] 

机构地区：[1]西北核技术研究所,西安710024

出　　处：《中国学术期刊文摘》2006年第23期32-33,共2页Chinese Science Abstracts(Chinese Edition)

摘　　要：介绍了用于描述工作在高频强电场条件下的亚微米半导体器件的流体动力学模型，并讨论了为求解流体动力学模型所采用的算子分裂方法和有限体积法．使用流体动力学模型，对亚微米GaAs金属半导体场效应管器件进行了2维数值模拟，得到了该器件的I-V曲线、电子密度分布和电子温度分布．数值模拟结果表明，器件栅极电压越负，肖特基结的耗尽层越厚，源漏电流越小；在耗尽层内电场最强处，电子温度达到4000K；

关 键 词：金属半导体场效应管 砷化镓2 维半导体模拟 流体动力学模型 AUSM+up格式 

分 类 号：TN302[电子电信—物理电子学]