张雪锋

作品数：8被引量：6H指数：1
导出分析报告
供职机构：南通大学更多>>
发文主题：介质谐振器等离子体激元表面等离子体激元金属-氧化物-半导体场效应晶体管高增益更多>>
发文领域：电子电信环境科学与工程一般工业技术经济管理更多>>
发文期刊：《半导体技术》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金江苏省高校自然科学研究项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-8
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
一种感应PN结隧穿场效应晶体管
《固体电子学研究与进展》2015年第5期429-432 501,501,共5页张雪锋 王国军 顾春德 郭兴龙 
江苏省高校自然科学基金资助项目(13KJB510030);南通大学预研基金资助项目(14ZY001)
提出了一种在源区形成感应PN结的隧穿场效应晶体管,利用Silvaco TCAD对器件的工作原理进行了验证,并仿真分析了器件的静态电学特性以及动态特性。结果表明,这种结构的TFET具有低的亚阈值斜率(51mV/dec.)、高的开态电流(5.88μA/μm)、...
关键词：隧穿场效应晶体管 带带隧穿 亚阈值斜率 
HfO_2/TaON叠层栅介质Ge MOS器件制备及电性能研究被引量：1
《半导体技术》2010年第12期1149-1152,共4页张雪锋 季红兵 邱云贞 王志亮 徐静平 
国家自然科学基金(60776016);江苏省高校自然科学研究基金(09KJD510003);南通大学科研启动基金(09R08)
为提高高k/Ge MOS器件的界面质量,减小等效氧化物厚度(EOT),在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和较好的输出特性。因此利用TaON作为Ge MO...
关键词：锗基p沟场金属-氧化物-半导体场效应晶体管 氮氧钽铪界面层 高介电常数介质 散射 迁移率 
HfO_2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET制备及迁移率退化研究
《固体电子学研究与进展》2010年第4期485-488,共4页张雪锋 季红兵 邱云贞 王志亮 陈云 张振娟 黄静 徐静平 
国家自然科学基金项目(60776016);江苏省高校自然科学研究基金项目(09KJD510003);南通大学科研启动基金项目(09R08)
为提高high-k/Ge界面质量,在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET样品的空穴迁移率有显著提高,但仍小于理论预测值。利用high-k栅介质MOSFET中各种新的附加散射机制,分析了迁...
关键词：锗基p沟场金属-氧化物-半导体场效应晶体管 高介电常数介质 散射 迁移率 
超薄HfN界面层对HfO_2栅介质Ge pMOSFET电性能的改进被引量：1
《固体电子学研究与进展》2010年第4期507-509,517,共4页张雪锋 季红兵 邱云贞 王志亮 黄静 张振娟 徐静平 
国家自然科学基金项目(60776016);江苏省高校自然科学研究基金项目(09KJD510003);南通大学科研启动基金(09R08)
通过在高k介质和Ge表面引入一层超薄HfN界面层,实验制备了HfO2/HfON叠层栅介质Ge MOS器件。与没有界面层的样品相比,HfO2/HfON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和高有效迁移率。因此利用HfON作为Ge MOS器件的界面钝...
关键词：p沟锗基场金属-氧化物-半导体场效应晶体管 高介电常数介质 氮化铪界面层 
叠层高k栅介质中远程界面粗糙散射的理论模型被引量：2
《固体电子学研究与进展》2010年第2期180-183,217,共5页张雪锋 邱云贞 张振娟 陈云 黄静 王志亮 徐静平 
国家自然科学基金资助项目(60776016);江苏省高校自然科学研究基金(09KJD510003);南通大学科研启动基金(09R08)
利用双子带近似,从理论上研究了远程界面粗糙散射对叠层高k栅介质MOSFET反型载流子迁移率的退化作用,模拟了叠层高k栅介质结构参数和材料参数对远程界面粗糙散射的影响。结果表明,对于精确的迁移率模型,远程界面粗糙散射必须加以考虑,另...
关键词：叠层高k栅介质 远程界面粗糙散射迁移率 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 
不同界面层对HfTaON栅介质MOS特性的影响
《固体电子学研究与进展》2009年第4期593-596,共4页徐静平 张洪强 陈娟娟 张雪锋 
国家自然科学基金资助项目(60776016)
采用磁控溅射方法,在Si衬底上制备HfTaON高k栅介质,研究了AlON、HfON、TaON不同界面层对MOS器件电特性的影响。结果表明,HfTaON/AlON叠层栅介质结构由于在AlON界面层附近形成一种Hf-Al-O"熵稳定"的亚稳态结构,且AlON具有较高的结晶温度...
关键词：金属-氧化物-半导体 高K栅介质 HfTaON 氮氧化铝 氮化 
考虑库仑散射屏蔽效应的Si_(1-x)Ge_x pMOSFET低场空穴迁移率模型
《固体电子学研究与进展》2008年第2期193-197,共5页徐静平 张兰君 张雪锋 
国家自然科学基金资助项目(60776016)
在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上,建立了一个半经验的Si1-xGexpMOSFET反型沟道空穴迁移率模型。该模型重点讨论了反型电荷对离化杂质散射的屏蔽作用,由此对等效体晶格散射迁移率进行了修正。并且详细讨论了等效体晶格散...
关键词：p沟金属氧化物半导体场效应晶体管 应变锗硅合金 空穴迁移率 
应变Si_(1-x)Ge_xpMOSFET反型沟道空穴低场迁移率模型被引量：3
《Journal of Semiconductors》2006年第11期2000-2004,共5页张雪锋 徐静平 邹晓 张兰君 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60576021)~~
在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上,提出了一个半经验的应变Si1-xGex/Si pMOSFET反型沟道空穴迁移率模型.在该模型中,给出了迁移率随应变的变化,并且考虑了界面陷阱电荷对载流子的库仑散射作用.利用该模型对室温下空穴迁移...
关键词：P-MOSFET 应变Sil Gex 空穴迁移率 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部