HfO_2/TaON叠层栅介质Ge MOS器件制备及电性能研究  

Fabrication and Investigation on Electrical Properties of Ge MOS Devices with HfO_2/TaON Gate Stack

作　　者：张雪锋[1,2] 季红兵[1] 邱云贞[1] 王志亮[1] 徐静平[2] 

机构地区：[1]南通大学电子信息学院,江苏南通226019 [2]华中科技大学电子科学与技术系,武汉430074

出　　处：《半导体技术》2010年第12期1149-1152,共4页Semiconductor Technology

基　　金：国家自然科学基金(60776016);江苏省高校自然科学研究基金(09KJD510003);南通大学科研启动基金(09R08)

摘　　要：为提高高k/Ge MOS器件的界面质量,减小等效氧化物厚度(EOT),在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和较好的输出特性。因此利用TaON作为Ge MOS器件的界面钝化层对于获得小的等效氧化物厚度和高的高k/Ge界面质量有着重要的意义。In order to improve the quality of interface and reduce the equivalent oxide thickness（EOT） of high-k/Ge MOS devices,a ultra thin TaON interlayer was introduced between high-k dielectric and Ge.Compared with the samples without the TaON interlayer,the Ge MOSFETs with HfO2/TaON gate stacks show some improvement properties,such as the low interface state density,low gate leakage current and excellent output characteristics.Therefore,it is an effective method using TaON as a passive layer on Ge in MOS devices to obtain the small equivalent oxide thickness and high quality of interface of high-k/Ge.

关 键 词：锗基p沟场金属-氧化物-半导体场效应晶体管 氮氧钽铪界面层 高介电常数介质 散射 迁移率 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]