叠层高k栅介质中远程界面粗糙散射的理论模型  

A Theory Model on Remote-interface-roughness-scattering from High-k/Interlayer Dielectric Stacks

作　　者：张雪锋[1,2] 邱云贞[1] 张振娟[1] 陈云[1] 黄静[1] 王志亮[1] 徐静平[2] 

机构地区：[1]南通大学电子信息学院,江苏南通226019 [2]华中科技大学电子科学与技术系,武汉430074

出　　处：《固体电子学研究与进展》2010年第2期180-183,217,共5页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60776016);江苏省高校自然科学研究基金(09KJD510003);南通大学科研启动基金(09R08)

摘　　要：利用双子带近似,从理论上研究了远程界面粗糙散射对叠层高k栅介质MOSFET反型载流子迁移率的退化作用,模拟了叠层高k栅介质结构参数和材料参数对远程界面粗糙散射的影响。结果表明,对于精确的迁移率模型,远程界面粗糙散射必须加以考虑,另外,在设计叠层高k栅介质MOSFET时,在EOT得到满足的条件下,尽可能利用具有较高介电常数的界面层和具有较低介电常数的高k栅介质,可以减小迁移率退化。The degradation of carrier mobility caused by remote-interface-roughness-scattering was simulated using two-subband model.The effects of permittivity and thicknesses of high-k and interlayer on RIRS-limited mobility were discussed.The simulated results show that an interlayer dielectric with higher permittivity and high-k dielectric with lower permittivity are preferred to keep high mobility and small EOT.

关 键 词：叠层高k栅介质 远程界面粗糙散射迁移率 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学] TN301.1