张兰君

作品数：2被引量：3H指数：1
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供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
发文主题：低场P-MOSFET空穴迁移率空穴迁移率模型更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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考虑库仑散射屏蔽效应的Si_(1-x)Ge_x pMOSFET低场空穴迁移率模型
《固体电子学研究与进展》2008年第2期193-197,共5页徐静平 张兰君 张雪锋 
国家自然科学基金资助项目(60776016)
在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上,建立了一个半经验的Si1-xGexpMOSFET反型沟道空穴迁移率模型。该模型重点讨论了反型电荷对离化杂质散射的屏蔽作用,由此对等效体晶格散射迁移率进行了修正。并且详细讨论了等效体晶格散...
关键词：p沟金属氧化物半导体场效应晶体管 应变锗硅合金 空穴迁移率 
应变Si_(1-x)Ge_xpMOSFET反型沟道空穴低场迁移率模型被引量：3
《Journal of Semiconductors》2006年第11期2000-2004,共5页张雪锋 徐静平 邹晓 张兰君 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60576021)~~
在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上,提出了一个半经验的应变Si1-xGex/Si pMOSFET反型沟道空穴迁移率模型.在该模型中,给出了迁移率随应变的变化,并且考虑了界面陷阱电荷对载流子的库仑散射作用.利用该模型对室温下空穴迁移...
关键词：P-MOSFET 应变Sil Gex 空穴迁移率 
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