应变Si_(1-x)Ge_xpMOSFET反型沟道空穴低场迁移率模型  

A Low-Field Hole Mobility Model of Strained Si_(1-x)Ge_x pMOSFET

作　　者：张雪锋[1] 徐静平[1] 邹晓[1] 张兰君[1] 

机构地区：[1]华中科技大学电子科学与技术系,武汉430074

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第11期2000-2004,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:60576021)~~

摘　　要：在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上,提出了一个半经验的应变Si1-xGex/Si pMOSFET反型沟道空穴迁移率模型.在该模型中,给出了迁移率随应变的变化,并且考虑了界面陷阱电荷对载流子的库仑散射作用.利用该模型对室温下空穴迁移率随应变的变化及影响空穴迁移率的因素进行了分析讨论.A semi-experienced low-field hole mobility model of a strained Si1-xGex/Si pMOSFET is proposed by considering the effect of the strain on the energy-band structure of SiGe alloy. This model includes the variation of mobility with strain （Ge content） and the coulomb-scattering mechanism of interface-trapped charges on inversion carriers. Using the model,the change of the hole mobility with strain （Ge content） is simulated at room temperature,and the influence of some factors on mobility is discussed.

关 键 词：P-MOSFET 应变Sil Gex 空穴迁移率 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]