超薄HfN界面层对HfO_2栅介质Ge pMOSFET电性能的改进  

Improvement of Electrical Properties of Ge pMOSFET with HfO_2 Dielectric by Intoducing an Ultral Thin Layer of HfN

作　　者：张雪锋[1,2] 季红兵[1] 邱云贞[1] 王志亮[1] 黄静[1] 张振娟[1] 徐静平[2] 

机构地区：[1]南通大学电子信息学院,江苏南通226019 [2]华中科技大学电子科学与技术系,武汉430074

出　　处：《固体电子学研究与进展》2010年第4期507-509,517,共4页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金项目(60776016);江苏省高校自然科学研究基金项目(09KJD510003);南通大学科研启动基金(09R08)

摘　　要：通过在高k介质和Ge表面引入一层超薄HfN界面层,实验制备了HfO2/HfON叠层栅介质Ge MOS器件。与没有界面层的样品相比,HfO2/HfON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和高有效迁移率。因此利用HfON作为Ge MOS器件的界面钝化层对于获得小的等效氧化物厚度和高的high-k/Ge界面质量有着重要的意义。HfO2/HfON/Ge MOS devices were fabicated by intoducing an ultral thin layer of HfN to improve the quality of high-k/Ge interface.As compared to the sample without HfON interlayer,the Ge MOSFET with HfO2/HfON gate stack shows some improvement properties,such as low interface state density and gate leakage current,and excellent output characteristics and high effective hole mobility.Therefore,it is an effective method to use HfON as a passive interlayer on Ge in MOS devices.

关 键 词：p沟锗基场金属-氧化物-半导体场效应晶体管 高介电常数介质 氮化铪界面层 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学] TN305.2