超薄SiO_2栅介质厚度提取与分析  

Extraction of Ultra-Thin Gate Oxide Thickness

作　　者：谭静荣[1] 许晓燕[1] 黄如[1] 程行之[1] 张兴[1] 

机构地区：[1]北京大学微电子学研究所,北京100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第10期1306-1310,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划 (批准号 :2 0 0 0 0 3 65 );国家自然科学基金 (批准号 :90 2 0 70 0 4)资助项目~~

摘　　要：在分析半经典模型和量子模型的基础上 ,得到包括量子效应和多晶硅耗尽效应的栅氧厚度提取模型 .栅介质厚度模拟结果和椭偏仪所测实验结果吻合良好 .Based on the analysis of quasi-classical model and quantam model,a new empirical method is presented to extract the oxide thickness from measured C-V curves in accumulation region of MOS capacitors.The extracted results a re in good agreement with the results measured by ellipsometry.

关 键 词：超薄栅介质 量子效应 多晶硅耗尽效应 栅氧厚度 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]