基于压控单元的单电子晶体管宏模型  

Macromodel of Single-Electron Transistor Based on the Voltage-Controlled Circuit Cell

作　　者：戴大康[1] 杨红官[1] 喻彪[1] 曾云[1] 

机构地区：[1]湖南大学,410082

出　　处：《微计算机信息》2008年第32期262-263,248,共3页Control & Automation

基　　金：湖南省青年骨干教师培养计划项目;颁发部门:湖南省教育厅([2005]247);基金资助项目名称:基于新结构光电器件的CMOS图像传感器及其读出电路研究;颁发部门:湖南省科技厅(05JJ30115)

摘　　要：采用等效电路的方法,将单电子晶体管(SET)等效为由电容、电阻、多个压控电压源和压控电流源构成的电路,并从SET的结构出发,利用正统理论和量子力学理论,得到了单电子晶体管的电压与电流的关系。该模型可以较好模拟SET稳态时的工作状态,并可以由此出发,研究SET反相器和存储器电路,解决SET/MOS混合电路仿真的问题,对未来单电子电路的研究会有一定的帮助。Combining the equivalent circuit technique, the orthodox theory and quantum mechanics theory, a macromodel of singleelectron transistor （SET） is presented and the current-voltage （I-V） relation is given. The equivalent circuit cell consists of some capacitances, resistances, voltage-controlled voltage sources and voltage-controlled current sources. Using this model, we can simulate the steady-state process of SET, and then analyze the inverter and memory circuits. Therefore, the model can be used to simulate the SET/MOS hybrid circuits, which may promote the research of SET.

关 键 词：单电子晶体管 等效电路 SPICE模型 宏模型 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]