卫建林

作品数：7被引量：5H指数：1
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发文主题：直接隧穿FN振荡电流可靠性MOS器件超薄栅更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《物理学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
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粗糙界面对超薄栅MOS结构的直接隧穿电流的影响
《Journal of Semiconductors》2001年第9期1143-1146,共4页毛凌锋 谭长华 许铭真 卫建林 穆甫臣 张贺秋 
国家科技攻关项目 ( G2 0 0 0 -0 36 5 0 3);高校博士点基金 ( 970 0 0 113)资助项目~~
研究了粗糙界面对电子隧穿超薄栅金属 -氧化物 -半导体场效应晶体管的氧化层的影响 .对于栅厚为 3nm的超薄栅 MOS结构的界面用高斯粗糙面进行模拟来获取界面粗糙度对直接隧穿电流的影响 ,数值模拟的结果表明 :界面粗糙度对电子的直接隧...
关键词：粗糙度 直接随穿电流 场效应晶体管 超薄栅MOS结构 
镜像势引起的势垒降低对超薄栅 MOS结构的直接隧穿电流的影响
《Journal of Semiconductors》2001年第8期1044-1047,共4页毛凌锋 卫建林 穆甫臣 谭长华 许铭真 
随着器件尺寸的不断减小 ,直接隧穿电流将代替 FN电流而成为影响器件可靠性的主要因素 .数值求解的结果表明 :镜像势引起的势垒降低对超薄栅 MOS直接隧穿电流有较大的影响 .利用 WKB近似方法 ,获得了镜像势对直接隧穿电流影响的定性表达...
关键词：镜像势 直接隧穿电流 MOS结构 势垒 超薄栅 
超薄栅MOS结构恒压应力下的直接隧穿弛豫谱被引量：2
《Journal of Semiconductors》2001年第6期765-769,共5页卫建林 毛凌锋 许铭真 谭长华 
随着器件尺寸的迅速减小 ,直接隧穿电流将代替 FN电流而成为影响器件可靠性的主要因素 .根据比例差值算符理论和弛豫谱技术 ,针对直接隧穿应力下超薄栅 MOS结构提出了一种新的弛豫谱——恒压应力下的直接隧穿弛豫谱 (DTRS) .该弛豫谱保...
关键词：直接隧穿 超薄栅氧化层 陷阱参数 可靠性 MOS器件 
SILC Mechanism in Degraded Gate Oxide of Different Thickness
《Journal of Semiconductors》2001年第4期414-417,共4页王子欧 卫建林 毛凌锋 许铭真 谭长华 
It is shown that traps are generated asymmetrically in the thin gate oxides with different thickness during high field degradation,as well as the multi-mechanism plays role in the Stress Induced Leakage Current ...
关键词：SILC gate  oxide 
利用FN振荡电流测量超薄栅MOS结构的栅氧化层厚度被引量：3
《Journal of Semiconductors》2000年第10期999-1004,共6页毛凌锋 谭长华 许铭真 卫建林 
给出了一种利用 FN振荡电流的极值测量超薄栅 MOS结构的栅氧化层厚度和电子在栅氧化层导带中的有效质量方法 .利用波的干涉方法来处理电子隧穿势垒的过程 ,方便地获得了出现极值时外加电压和栅氧化层厚度、势垒高度、电子的有效质量之...
关键词：MOS结构 栅氧化层厚度 FN振荡电流 超薄栅 
用干涉方法研究超薄栅MOS系统中FN振荡电流被引量：4
《物理学报》2000年第5期974-982,共9页毛凌锋 谭长华 许铭真 卫建林 
采用干涉方法研究FN振荡电流 ,得到一个精确而且简单的测量栅介质层的厚度及隧穿电子在栅介质层导带中的有效质量的表达式 .通过和求解三角势垒的薛定谔方程得到的结果比较验证了干涉方法的可行性 .干涉方法揭示电子在隧穿过程中体现了...
关键词：干涉 超薄栅MOS系统 FN振荡电路 
一种新的MOS器件亚阈区表面势分析方法被引量：1
《Journal of Semiconductors》1997年第11期844-848,共5页陈之昀 刘晓卫 卫建林 谭长华 许铭真 
国家"八.五"攻关项目
本文根据MOS器件亚阈区转移特性国数强收敛的特点，提出了一种直接利用MOS器件转移特性确定亚阈区表面势的新方法．并讨论了界面馅饼的影响．研究结果表明，对于长沟器件，该方法的系统误差小于1．3％．与C－V法的对照实验表明，两者的...
关键词：MOS器件 亚阈区 表面热分析 
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