超薄栅

作品数：46被引量：58H指数：4
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重离子单粒子辐射对超薄栅氧化层可靠性影响分析
《固体电子学研究与进展》2022年第2期141-145,共5页何玉娟 雷志锋 张战刚 章晓文 杨银堂 
研究了重离子单粒子辐照(Single event effect,SEE)效应对超薄栅氧化层(1.2 nm厚度)的斜坡击穿电压(Voltage ramp dielectric breakdown,VRDB)的影响情况。采用^(209)B(i离子能量为1043.7 MeV)对65 nm CMOS电容进行(1~2)×10^(7) ion/cm...
关键词：重离子单粒子辐射 VRDB试验 超薄栅氧化层 
40nm NMOS器件沟道热载流子效应和电离总剂量效应关联分析被引量：2
《现代应用物理》2022年第1期180-185,共6页何宝平 马武英 王祖军 姚志斌 缑石龙 
国家自然科学基金资助项目(11690043,11690040)。
通过理论模拟和辐照试验,对40 nm NMOS器件在电离总剂量(total ionization dose,TID)效应和沟道热载流子(channel hot carrier,CHC)效应综合作用下二者的相关性进行了研究。研究结果表明,CHC效应和TID效应单独作用都会对纳米NMOS器件产...
关键词：电离总剂量效应 沟道热载流子效应 浅槽隔离 超薄栅氧化层 
4nm超薄栅nMOSFET中漏电压对栅控产生电流影响研究
《纳米科技》2012年第3期23-26,共4页陈海峰 过立新 商世广 
陕西省教育厅专项科研基金（编号：1IJK0902）,西安市应用材料创新基金（编号：XA-AM-201012）,西安邮电学院青年教师科研基金f编号：ZL2010-19）
研究了90nmCMOS工艺下4nm超薄栅氧化层LDDnMOSFET中漏电压VD对栅调制产生电流‰的影响，随着VD的增加，IGD曲线上升沿不变，而下降沿向右漂移，这归因于VD增大引发了闽值电压增大所致。研究发现IGD下降沿最大跨导GMW随着VD的变化成幂指...
关键词：栅氧化层 漏电压 闽值电压 浅掺杂漏区 
超薄栅超短沟LDD nMOSFET中栅电压对栅致漏极泄漏电流影响研究被引量：1
《物理学报》2012年第2期509-515,共7页陈海峰 过立新 
西安应用材料创新基金(批准号:XA-AM-201012);西安邮电学院青年教师科研基金(批准号:ZL2010-19)资助的课题~~
本文研究了90nm CMOS工艺下栅氧化层厚度为1.4 nm沟道长度为100 nm的轻掺杂漏(LDD)nMOSFET栅电压V_G对栅致漏极泄漏(GIDL)电流I_D的影响,发现不同V_G下ln(I_D/(V_(DG)-1.2))-1/(V_(DG)-1.2)曲线相比大尺寸厚栅器件时发生了分裂现象.通...
关键词：GlDL 带带隧穿 CMOS LDD NMOSFET 
超薄栅氧MOS器件传统关态栅泄漏电流研究
《微电子学与计算机》2011年第12期133-136,共4页胡仕刚 吴笑峰 席在芳 
国家自然科学基金资助项目(61074051);湖南省教育厅资助项目(10C0709);湖南科技大学博士启动基金项目(E51080)
理论分析了MOSFET关态泄漏电流产生的物理机制,深入研究了栅氧化层厚度为1.4nm MOSFET传统关态下边缘直接隧穿栅泄漏现象.结果表明:边缘直接隧穿电流服从指数变化规律;传统关态下边缘直接隧穿对长沟道器件的影响大于短沟道器件;衬底反...
关键词：直接隧穿 MOSFET 栅氧化层 
SHH应力下超薄栅氧PMOS器件退化研究
《中南大学学报（自然科学版）》2011年第9期2741-2745,共5页胡仕刚 吴笑峰 席在芳 
国家自然科学基金资助项目(61074051);湖南省教育厅资助项目(10C0709);湖南科技大学博士启动基金资助项目(E51080)
对超薄栅氧PMOS器件衬底热空穴(SHH)应力下SILC(应力感应泄漏电流)特性和机理进行研究。研究结果表明:在SHH应力下,栅电流在开始阶段减小,这是正电荷在氧化层中积累的结果;随后栅电流慢慢地增加,最后,当在氧化层中积累的正电荷密度达到...
关键词：衬底热空穴 阈值电压 栅氧化层 应力感应泄漏电流 MOS器件 
超薄高k栅介质Ge-pMOSFET的电特性研究
《微电子学》2009年第4期575-579,共5页陈娟娟 徐静平 陈卫兵 
国家自然科学基金资助项目(60776016)
采用MEDICI模拟器,对高k栅介质Ge-pMOSFET的电特性进行了研究。通过考虑短沟道效应和边缘场效应,着重分析了栅介质介电常数、氧化物固定电荷密度以及沟道长度等对器件阈值电压和亚阈斜率的影响,研究认为:为获得优良的电性能,栅介质的k...
关键词：Ge-pMOSFET 高K栅介质 超薄栅介质 亚阈斜率 
超薄栅氧化层等离子体损伤的工艺监测被引量：6
《电子学报》2009年第5期947-950,956,共5页赵文彬 李蕾蕾 于宗光 
江苏省高技术研究项目(No.BG2007006)
随着集成电路向深亚微米、纳米技术发展,等离子体充电对制造工艺造成的影响,尤其对超薄隧道氧化层的损伤越来越显著.本文分析了等离子体工艺损伤机理以及天线效应,设计了带有多晶、孔、金属等层次天线监测结构的电容和器件,并有不同的...
关键词：栅氧化层 等离子体损伤 天线结构 工艺监测 
基于原位水汽生成的超薄栅氧膜电学特性研究(英文)被引量：4
《半导体技术》2008年第11期995-999,共5页孙凌 高超 王磊 杨华岳 
介绍了针对利用原位水汽生成工艺制作的超薄栅介质膜的电学特性研究。通过电荷泵和栅极隧穿漏电流的测试,证明了原位水汽生成工艺相比传统炉管氧化工艺能够有效地提高界面态特性,这种电学特性上的提高被认为与活性氧原子的氧化机制有关...
关键词：原位水汽生成 界面态 迁移率 栅氧化膜 
一种精确求解超薄栅NMOS器件隧穿电流的模型
《固体电子学研究与进展》2008年第2期162-166,共5页李宗林 徐静平 许胜国 
国家自然科学基金(60376019)资助项目
提出了一种精确求解隧穿电流的模型。通过自洽求解一维薛定谔方程和泊松方程,得到NMOS器件的半导体表面电势分布、反型层二维电子气的量子化能级以及对应的载流子浓度分布。为计算隧穿电流,采用了多步势垒逼近方法计算栅氧化物势垒层的...
关键词：N沟金属-氧化物-半导体器件 量子隧穿 反型层 超薄栅氧化物 
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