王磊

作品数：5被引量：13H指数：3
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CMOS兼容的中红外多通道光子晶体传感器
《红外与毫米波学报》2020年第3期279-283,共5页周易 王磊 李军 杨雪雷 甘峰源 赵瑛璇 仇超 李伟 
Supported by the Shanghai Sailing Program(18YF1428200,18YF1428100)。
提出了一种基于光子晶体的二维多通道光学化学传感器。该器件由中心波长为3.3μm的四个腔组成,各通道工作波长间隔为10 nm。该传感器采用800 nm厚的绝缘体上硅材料,可利用标准CMOS技术加工。通过三维时差有限差分法对微腔结构的光学特...
关键词：光子晶体 传感器 多通道 中红外 
高压LDMOS晶体管准饱和效应分析与建模被引量：5
《物理学报》2010年第1期571-578,共8页王磊 杨华岳 
研究了高压LDMOS(lateral double-diffused MOS)晶体管中一种特殊的电流饱和现象——准饱和效应.借助于TCAD模拟工具,澄清了准饱和效应的物理机理是漂移区载流子的速度饱和.进而从本征漏极电压Vk入手,给出了描述LDMOS管电流饱和特性的...
关键词：LDMOS 准饱和效应 高压 
双极值衬底电流对高压MOS器件退化的影响
《半导体技术》2009年第3期247-250,共4页刘博 王磊 冯志刚 王俊 李文军 程秀兰 
基于0.18μm高压n型DEMOS(drain extended MOS)器件,报道了在衬底电流Isub两种极值条件下作高压器件的热载流子应力实验,结果发现器件电学性能参数(如线性区电流、开态电阻、最大电导和饱和漏电流)随应力时间有着明显退化。通过TCAD分...
关键词：高压器件 扩展漏端MOS 衬底电流 热载流子注入 
基于原位水汽生成的超薄栅氧膜电学特性研究(英文)被引量：4
《半导体技术》2008年第11期995-999,共5页孙凌 高超 王磊 杨华岳 
介绍了针对利用原位水汽生成工艺制作的超薄栅介质膜的电学特性研究。通过电荷泵和栅极隧穿漏电流的测试,证明了原位水汽生成工艺相比传统炉管氧化工艺能够有效地提高界面态特性,这种电学特性上的提高被认为与活性氧原子的氧化机制有关...
关键词：原位水汽生成 界面态 迁移率 栅氧化膜 
高压双扩散漏端MOS晶体管双峰衬底电流的形成机理及其影响被引量：4
《物理学报》2008年第7期4492-4496,共5页王俊 王磊 董业民 邹欣 邵丽 李文军 杨华岳 
利用0.15μm标准CMOS工艺制造出了工作电压为30V的双扩散漏端MOS晶体管(double diffused drain MOS,DDDMOS).观察到DDDMOS的衬底电流-栅压曲线(Ib-Vg曲线)有两个峰.通过实验和TCAD模拟揭示了DDDMOS衬底电流的形成机理,发现衬底电流第一...
关键词：高压器件 衬底电流 可靠性 
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