衬底电流

作品数：13被引量：10H指数：2
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利用衬底电流双峰优化0.6um BCD工艺中40V LD-MOS的厚栅氧化层
《中国科技纵横》2018年第19期56-57,共2页张焕云 郭世璧 
本文通过用双峰的衬底电流效应分析了热电子限制SOA和电子SOA在40V LDMOS栅氧层的形成机理,并且通过新流程设计改进了LD-MOS的SOA.最终,得到了扩展到40/50V LDMOSn漂移区大于2um的结构设计方法.通过分析衬底电流(Ib)和相应的退化机理,...
关键词：LDMOS Kirk效应 SOA BCD 
纳米级MOSFET衬底电流的偏置依赖性建模
《电子技术应用》2016年第10期37-39,共3页王林 王军 王丹丹 
衬底电流是纳米级MOSFET电学性质分析的重要基础,也是集成电路设计的先决条件。建立精确的衬底电流模型是分析MOSFET器件及电路可靠性和进行电路设计所必需的。基于热载流子效应建立了一个常规结构纳米级MOSFET衬底电流的解析模型,并将...
关键词：衬底电流 纳米级MOSFET 偏置依赖性 
VDMOS器件高温热载流子效应的研究
《固体电子学研究与进展》2016年第1期39-44,共6页储晓磊 高珊 李尚君 
国家核高基重大专项资助项目(2010ZX0103 0-001-001-004)
用二维器件仿真软件Silvaco-Atlas模拟了VDMOS器件工作时产热分布,观察到高温区集中分布在沟道末端及积累层区域。仿真了自加热效应情形下的输出特性曲线,图像显示曲线在达到饱和点后随漏电压增大有下降趋势。结合理论揭示了自加热效应...
关键词：垂直双扩散金属氧化物半导体 自加热效应 衬底电流 热载流子效应 
一种适用于MEMS麦克风的新型恒压电荷泵设计被引量：1
《固体电子学研究与进展》2013年第3期300-304,共5页张文杰 杨凤 段杰斌 谢亮 金湘亮 
国家科技重大专项资助项目(2011ZX05008-005-04-02);教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-11-0975)
实现了一种新型恒压输出电荷泵电路,通过选择合理的电荷泵结构能有效抑制反向电流及衬底电流,并通过一种负反馈稳压电路得到低纹波且不随电源电压变化的稳压输出,非常适用于MEMS麦克风。该电路采用MIXIC0.35μm标准CMOS工艺实现,测试结...
关键词：电荷泵 衬底电流 辅助金属氧化物半导体场效应晶体管 恒压输出 微机电系统麦克风 
nMOSFET中衬底偏压对衬底电流的影响研究
《微电子学》2013年第1期103-106,共4页陈海峰 过立新 
陕西省教育厅专项科研基金资助项目(11JK0902);西安市应用材料创新基金资助项目(XA-AM-201012)
研究了基于90nm CMOS工艺的nMOSFET中正负衬底偏压VB对衬底电流IB的影响。衬底电流IB在0V
关键词：衬底电流 亚阈值电流 NMOSFET 衬底偏压 
双极值衬底电流对高压MOS器件退化的影响
《半导体技术》2009年第3期247-250,共4页刘博 王磊 冯志刚 王俊 李文军 程秀兰 
基于0.18μm高压n型DEMOS(drain extended MOS)器件,报道了在衬底电流Isub两种极值条件下作高压器件的热载流子应力实验,结果发现器件电学性能参数(如线性区电流、开态电阻、最大电导和饱和漏电流)随应力时间有着明显退化。通过TCAD分...
关键词：高压器件 扩展漏端MOS 衬底电流 热载流子注入 
高压双扩散漏端MOS晶体管双峰衬底电流的形成机理及其影响被引量：4
《物理学报》2008年第7期4492-4496,共5页王俊 王磊 董业民 邹欣 邵丽 李文军 杨华岳 
利用0.15μm标准CMOS工艺制造出了工作电压为30V的双扩散漏端MOS晶体管(double diffused drain MOS,DDDMOS).观察到DDDMOS的衬底电流-栅压曲线(Ib-Vg曲线)有两个峰.通过实验和TCAD模拟揭示了DDDMOS衬底电流的形成机理,发现衬底电流第一...
关键词：高压器件 衬底电流 可靠性 
高压单边器件的衬底电流再次升高和相关的热载流子注入效应被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第4期757-764,共8页戴明志 刘韶华 程波 李虹 叶景良 王俊 江柳 廖宽仰 
基于泊松方程和幸运电子模型,推出了适用于高压n型器件衬底电流(ISUB)的公式,并且为模拟和实验测量的结果所验证.普通n型低压器件的热载流子注入(HCI)效应和ISUB相关.因此,ISUB特征曲线的解释理论和基于理论的正确公式表述对于确保器件...
关键词：衬底电流 双强电场模型 衬底电流公式 热载流子注入 
高压MOS晶体管双峰衬底电流分析及优化被引量：2
《半导体技术》2008年第4期316-319,共4页王俊 董业民 邹欣 邵丽 李文军 杨华岳 
利用0.15μm标准CMOS工艺制造出了工作电压为30V的双扩散漏端MOS晶体管。观察到DDDMOS的衬底电流-栅压曲线有两个峰。实验表明,DDDMOS衬底电流的第二个峰对器件的可靠性有一定的影响。利用TCAD模拟解释了DDDMOS第二个衬底电流峰的形成机...
关键词：高压器件 衬底电流 优化工艺 
恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性被引量：3
《Journal of Semiconductors》2005年第5期999-1004,共6页王彦刚 许铭真 谭长华 段小蓉 
国家重点基础研究专项经费资助项目(批准号:TG2000 036503)~~
研究了在恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性.软击穿时间由衬底电流随时间的弛豫特性和器件输出特性测量时监测的衬底电流突变确定.发现软击穿时间的威布尔斜率和衬底特征击穿电流随温度的升高而增大.用类渗流模型模拟了软...
关键词：衬底电流 软击穿 超薄栅氧化层 威布尔分布 变频光泵效应 
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