FN振荡电流

作品数：3被引量：5H指数：1
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利用FN振荡电流测量薄栅MOS结构栅氧化层中隧穿电子的有效质量被引量：1
《Journal of Semiconductors》2001年第7期892-896,共5页毛凌锋 谭长华 许铭真 
国家重点基础研究项目 (G2 0 0 0 -0 3 65 0 3 );国家教育部博士点基金 (970 0 0 113 )
给出了一种利用 FN振荡电流的极值 ,测量电子在薄栅 MOS结构的栅氧化层中的平均有效质量方法 .利用波的干涉方法来处理电子隧穿势垒的过程 ,方便地获得了出现极值时外加电压和电子的有效质量之间的分析表达式 .用干涉方法计算所得到的...
关键词：栅氧化层 FN振荡电流 有效质量 场效应晶体管 隧穿电子 薄栅MOS结构 
利用FN振荡电流测量超薄栅MOS结构的栅氧化层厚度被引量：3
《Journal of Semiconductors》2000年第10期999-1004,共6页毛凌锋 谭长华 许铭真 卫建林 
给出了一种利用 FN振荡电流的极值测量超薄栅 MOS结构的栅氧化层厚度和电子在栅氧化层导带中的有效质量方法 .利用波的干涉方法来处理电子隧穿势垒的过程 ,方便地获得了出现极值时外加电压和栅氧化层厚度、势垒高度、电子的有效质量之...
关键词：MOS结构 栅氧化层厚度 FN振荡电流 超薄栅 
用干涉方法研究超薄栅MOS系统中FN振荡电流被引量：4
《物理学报》2000年第5期974-982,共9页毛凌锋 谭长华 许铭真 卫建林 
采用干涉方法研究FN振荡电流 ,得到一个精确而且简单的测量栅介质层的厚度及隧穿电子在栅介质层导带中的有效质量的表达式 .通过和求解三角势垒的薛定谔方程得到的结果比较验证了干涉方法的可行性 .干涉方法揭示电子在隧穿过程中体现了...
关键词：干涉 超薄栅MOS系统 FN振荡电路 
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