全耗尽SOI

作品数：13被引量：13H指数：2
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相关作者：王阳元韩郑生奚雪梅许剑钟传杰更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所北京大学江南大学中国科学院更多>>
相关期刊：《微电子学》《电子学报》《电子器件》《功能材料与器件学报》更多>>
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SOI和体硅MOSFET大信号非准静态效应比较研究
《微电子学》2011年第3期436-441,共6页程玮 郭宇锋 张锐 左磊召 花婷婷 
国家自然科学基金资助项目(6080602761076073);江苏省高校自然科学基金资助项目(09KJB510010);江苏省高校自然科学重大基础研究项目(08KJA510002);南通市科技项目(K2008024)
研究了全耗尽SOI、部分耗尽SOI和体硅NMOS器件中源、漏、栅和衬底电流的非准静态现象。研究表明,在相同的结构参数下,体硅器件的非准静态效应最强,PDSOI次之,FDSOI最弱。指出了沟道源、漏端反型时间和反型程度的不同是造成非准静态效应...
关键词：非准静态效应 全耗尽SOI 部分耗尽SOI 射频 MOSFET 
深亚微米全耗尽SOI BJMOSFET的二维电流模型
《微电子学》2009年第5期684-688,共5页张燕 高有堂 曾云 
建立了深亚微米全耗尽SOI BJMOSFET器件的二维电流模型;运用HSPICE软件,模拟得到其电流-电压特性曲线。与相同条件下的全耗尽SOI MOSFET相比,该新型SOI器件具有更大的电流输出,是一种直流性能优异的新型SOI器件。
关键词：深亚微米 全耗尽 SOI BJMOSFET 二维电流模型 
隐埋层中二维效应对全耗尽SOI非对称HALO结构阈值电压的影响
《Journal of Semiconductors》2008年第3期559-562,共4页许剑 丁磊 韩郑生 钟传杰 
在非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型的基础上,对阈值电压受隐埋层中二维效应的影响进行了讨论.通过与一维模型的比较,说明在深亚微米SOI MOSFET器件中隐埋层的二维效应会导致器件提前出现短沟道效应.新模型结果与二维数...
关键词：阈值电压 二维效应 全耗尽SOI HALO结构 
非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型被引量：1
《电子器件》2007年第6期2166-2169,2173,共5页许剑 丁磊 韩郑生 钟传杰 
在考虑了隐埋层与硅层的二维效应的基础上提出非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型,该模型计算了在不同硅膜厚度,掺杂浓度,HALO区占沟道比例的条件下的阈值电压.模型结果与二维数值模拟软件MEDICI的模拟结果较好的吻合,该模...
关键词：阈值电压 表面势 全耗尽SOI HALO结构 
SiGe SOI CMOS特性分析与优化设计被引量：1
《微电子学》2007年第5期619-623,共5页高勇 黄媛媛 刘静 
西安-应用材料创新基金资助项目(XA-AM-200514)
基于全耗尽SOI CMOS工艺,建立了具有Si Ge沟道的SOI MOS器件结构模型,并利用ISE TCAD器件模拟软件,对Si Ge SOI CMOS的电学特性进行模拟分析。结果表明,引入Si Ge沟道可极大地提高PMOS的驱动电流和跨导(当Ge组分为0.3时,驱动电流提高39....
关键词：全耗尽SOI SIGE CMOS 迁移率 驱动电流 
不同偏置下全耗尽SOI NMOSFET总剂量抗辐射的研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第5期750-754,共5页王宁娟 刘忠立 李宁 于芳 李国花 
研究了不同偏置条件下,全耗尽SOI NMOSFET的总剂量抗辐射特性,主要讨论不同偏置条件对器件中陷获电荷的产生和分布,以及由此对器件性能产生的影响.通过器件模拟发现,在辐射过程中器件的偏置条件不同,造成器件的有源区和埋氧层中电场的...
关键词：SOI 全耗尽 总剂量辐射 器件模拟 
全耗尽SOIMOSFET阈值电压解析模型
《功能材料与器件学报》2007年第1期73-77,共5页李瑞贞 李多力 杜寰 海潮和 韩郑生 
提出了一种简化的全耗尽SOIMOSFET阈值电压解析模型。该模型物理意义明确,形式简单,不需要非常复杂的计算。通过在不同条件下将本文的模拟结果和MED ICI模拟结果进行对比,验证了本模型的精确性。因此本模型对于器件物理特性的研究和工...
关键词：全耗尽SOI MOSFET 阈值电压 模型 
超薄顶层硅SOI衬底上高k栅介质ZrO_2的性能
《Journal of Semiconductors》2003年第10期1099-1102,共4页章宁琳 宋志棠 沈勤我 林成鲁 
国家重点基础研究专项经费资助项目 (Nos .G2 0 0 0 0 36 5 ;0 0 1CB6 10 40 8)~~
采用超高真空电子束蒸发法制备了用于全耗尽SOI场效应晶体管 (MOSFET)中作为高k栅介质的ZrO2 薄膜 .X射线光电子能谱 (XPS)分析结果显示 :ZrO2 薄膜成分均一 ,为完全氧化的ZrO2 ,其中Zr∶O =1∶2 2 ,锆氧原子比偏高可能是由于吸附了空...
关键词：超高真空电子束蒸发法 全耗尽SOI MOSFET 高K栅介质 ZRO2 
全耗尽SOIMOSFET及CMOS／SOI电路的研究
《微电子学》1996年第3期143-145,共3页张正璠 刘永光 
采用ＳＩＭＯＸ材料，研制了一种全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ模拟开关电路。研究了全耗尽ＳＯＩＭＯＳ场效应晶体管的阈值电压与背栅偏置的依赖关系，对漏源击穿的Ｓｎａｐｂａｃｋ特性进行了分析。介绍了薄层ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ制作工艺...
关键词：半导体材料 半导体器件 SOI MOSFET 模拟开关 
全耗尽SOI　MOSFET的阈电压的解析模型被引量：2
《电子学报》1996年第5期48-52,共5页付军 田立林 钱佩信 罗台秦 
国家基础性研究重大关键项目计划(攀登计划)研究课题
本文在近似求解全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ所满足的二维泊松方程的基础上，建立了阈电压的解析模型。通过与ＰＩＳＣＥＳ的模拟结果以及相应的实验数据的比较，证明本模型的误差较小。此外，本模型还具有计算简便、快速，形式直观，物理...
关键词：全耗尽 SOI MOSFET 阈电压 场效应器件 
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