刘永光

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全耗尽SOIMOSFET及CMOS／SOI电路的研究
《微电子学》1996年第3期143-145,共3页张正璠 刘永光 
采用ＳＩＭＯＸ材料，研制了一种全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ模拟开关电路。研究了全耗尽ＳＯＩＭＯＳ场效应晶体管的阈值电压与背栅偏置的依赖关系，对漏源击穿的Ｓｎａｐｂａｃｋ特性进行了分析。介绍了薄层ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ制作工艺...
关键词：半导体材料 半导体器件 SOI MOSFET 模拟开关 
一种10位乘法型D／A转换器的设计
《微电子学》1994年第6期27-30,共4页刘永光 
本文介绍一种采用Ｒ－２Ｒ梯形电阻网络和ＣＭＯＳ模拟开关的典型结构的单片１０位Ｄ／Ａ转换器。在设计和制作上进行优化，不用激光修调能够达到１０位精度，在全温范围内有较高的温度跟踪特性。
关键词：模拟开关 电阻网络 数-模转换器 
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