云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 左磊召

左磊召: 作品数：1被引量：0H指数：0; 导出分析报告; 供职机构：南京邮电大学电子科学与工程学院更多>>; 发文主题：MOS器件短沟道效应阈值电压建模与仿真研究小尺寸更多>>; 发文领域：电子电信更多>>; 发文期刊：《微电子学》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金江苏省高校自然科学研究项目更多>>

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SOI和体硅MOSFET大信号非准静态效应比较研究: 《微电子学》2011年第3期436-441,共6页程玮郭宇锋张锐左磊召花婷婷; 国家自然科学基金资助项目(6080602761076073);江苏省高校自然科学基金资助项目(09KJB510010);江苏省高校自然科学重大基础研究项目(08KJA510002);南通市科技项目(K2008024); 研究了全耗尽SOI、部分耗尽SOI和体硅NMOS器件中源、漏、栅和衬底电流的非准静态现象。研究表明,在相同的结构参数下,体硅器件的非准静态效应最强,PDSOI次之,FDSOI最弱。指出了沟道源、漏端反型时间和反型程度的不同是造成非准静态效应...; 关键词：非准静态效应全耗尽SOI 部分耗尽SOI 射频 MOSFET