程玮

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：南京邮电大学电子科学与工程学院更多>>
发文主题：SOIMOSFETLDMOSSOI_MOSFET绝缘衬底更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《微电子学》更多>>
所获基金：国家自然科学基金江苏省高校自然科学研究项目更多>>
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SOI和体硅MOSFET大信号非准静态效应比较研究
《微电子学》2011年第3期436-441,共6页程玮 郭宇锋 张锐 左磊召 花婷婷 
国家自然科学基金资助项目(6080602761076073);江苏省高校自然科学基金资助项目(09KJB510010);江苏省高校自然科学重大基础研究项目(08KJA510002);南通市科技项目(K2008024)
研究了全耗尽SOI、部分耗尽SOI和体硅NMOS器件中源、漏、栅和衬底电流的非准静态现象。研究表明,在相同的结构参数下,体硅器件的非准静态效应最强,PDSOI次之,FDSOI最弱。指出了沟道源、漏端反型时间和反型程度的不同是造成非准静态效应...
关键词：非准静态效应 全耗尽SOI 部分耗尽SOI 射频 MOSFET 
基于RIE技术的倾斜表面SOI功率器件制备技术被引量：1
《固体电子学研究与进展》2011年第3期268-273,共6页张锐 郭宇锋 程玮 花婷婷 
国家自然科学基金项目(60806027;61076073);江苏省高校自然科学基金项目(09KJB510010);江苏省高校自然科学重大基础研究项目(08KJA510002);南通市科技项目(K2008024)
对一种具有倾斜表面漂移区SOI LDMOS的制造方法进行了研究,提出了多窗口反应离子刻蚀法来形成倾斜表面漂移区的新技术,建立了倾斜表面轮廓函数的数学模型,TCAD工具的2D工艺仿真证实了该技术的可行性,最终优化设计出了倾斜表面漂移区长度...
关键词：横向变厚度 绝缘体上硅 横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 反应离子刻蚀 
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