部分耗尽SOI

作品数：18被引量：20H指数：2
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：韩郑生崔江维余学峰刘忠立卜建辉更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院中国科学院大学更多>>
相关期刊：《微电子学》《物理学报》《功能材料》《半导体技术》更多>>
相关基金：国家自然科学基金中国科学院西部之光基金江苏省高校自然科学研究项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
90 nm PDSOI MOSFET热阻研究被引量：1
《微电子学》2021年第2期251-254,共4页李垌帅 王芳 王可为 卜建辉 韩郑生 罗家俊 
国家自然科学基金资助项目(61874135)。
对90 nm PDSOI MOSFET的热阻进行了提取与研究。以H型栅MOSFET为研究对象,将源体二极管作为温度敏感器,通过测量源体结电流与器件温度的关系以及源体结电流与器件功率的关系,获得MOS器件功率与器件温度的关系,从而获取MOS器件热阻值。...
关键词：部分耗尽SOI 自加热效应 热阻 源体二极管法 H型栅 
γ射线辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响被引量：2
《红外与激光工程》2018年第9期203-208,共6页马腾 苏丹丹 周航 郑齐文 崔江维 魏莹 余学峰(指导) 郭旗 
国家自然科学基金(11475255);国家自然科学基金青年科学基金(11505282);中国科学院西部之光项目(2015-XBQN-B-15,XBBS201321)。
研究了γ射线辐照对130 nm部分耗尽(Partially Depleted,PD)绝缘体上硅(Silicon on Insulator,SOI)工艺MOS器件栅氧经时击穿(Time-Dependent Dielectric Breakdown,TDDB)寿命的影响。通过测试和对比辐照前后NMOS和PMOS器件的转移特性曲...
关键词：场效应晶体管 可靠性 栅氧经时击穿 γ射线 
质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响
《现代应用物理》2017年第4期48-51,共4页马腾 崔江维 郑齐文 魏莹 赵京昊 梁晓雯 余学峰 郭旗 
国家自然科学基金资助项目(11475255;11505282)
利用10 MeV质子对130nm部分耗尽SOI MOS器件进行辐照,测试了在不同辐照吸收剂量下,器件的辐射诱导泄漏电流和栅氧经时击穿寿命等参数,分析了质子辐照对器件TDDB可靠性的影响。结果表明:质子辐照器件时,在Si-SiO_2界面产生的界面陷阱电荷...
关键词：辐射诱导泄漏电流 栅氧经时击穿 可靠性 质子辐照 部分耗尽SOI 
埋氧离子注入对P型部分耗尽SOI电学与低频噪声的影响
《电子与封装》2017年第10期36-41,共6页陈海波 刘远 吴建伟 恩云飞 
针对抗辐照SOI PMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明:埋氧化层离...
关键词：绝缘体上硅 部分耗尽 低频噪声 离子注入 
辐射加固SOI工艺FPGA的设计与验证被引量：2
《信息与电子工程》2012年第5期627-632,共6页吴利华 韩小炜 赵岩 于芳 刘忠立 
进行了一款辐射加固SRAM基VS1000 FPGA的设计与验证。该芯片包含196个逻辑模块、56个IO模块、若干布线通道模块及编程电路模块等。每个逻辑模块由2个基于多模式4输入查找表的逻辑单元组成,相对传统的4输入查找表,其逻辑密度可以提高12%...
关键词：辐射加固 现场可编程逻辑门阵列 逻辑单元 部分配置 部分耗尽SOI 
部分耗尽SOI工艺器件辐射效应的研究被引量：1
《微电子学与计算机》2012年第8期138-143,共6页张晓晨 岳素格 李建成 
对0.13μm部分耗尽SOI工艺的抗辐射特性进行了研究.首先通过三维仿真研究了单粒子事件中的器件敏感区域,随后通过实验分析了器件的总剂量效应.三维仿真研究了离子入射位置不同时SOI NMOS器件的寄生双极效应和电荷收集现象,结果表明,离...
关键词：SOI 辐射效应 单粒子翻转 总剂量效应 
0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET热载流子可靠性研究被引量：2
《微电子学》2012年第2期293-296,共4页洪根深 肖志强 王栩 周淼 
对0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET热载流子的可靠性进行了研究。在Vds=5V,Vgs=2.1V的条件下,加电1 000s后,宽长比为4/0.5的部分耗尽SOI H型栅NMOSFET的前栅阈值电压的漂移(ΔVt/Vt)和跨导的退化(Δgm/gm)分别为0.23%和2.98%。以器件最大跨...
关键词：SOI 部分耗尽 NMOSFET 热载流子效应 可靠性 
部分耗尽SOI ESD保护电路的研究被引量：2
《电子器件》2012年第2期208-211,共4页汤仙明 韩郑生 
为了解决SOI技术的ESD问题,我们设计了一种适用于部分耗尽SOI的栅控二极管结构的ESD保护电路,并进行了ESD实验。通过实验研究了SOI顶层硅膜厚度、栅控二极管的沟道长度和沟道宽度,限流电阻以及电火花隙等因素对保护电路抗ESD性能的影响...
关键词：绝缘衬底上的硅 静电放电 栅控二极管 人体放电模型 
SOI和体硅MOSFET大信号非准静态效应比较研究
《微电子学》2011年第3期436-441,共6页程玮 郭宇锋 张锐 左磊召 花婷婷 
国家自然科学基金资助项目(6080602761076073);江苏省高校自然科学基金资助项目(09KJB510010);江苏省高校自然科学重大基础研究项目(08KJA510002);南通市科技项目(K2008024)
研究了全耗尽SOI、部分耗尽SOI和体硅NMOS器件中源、漏、栅和衬底电流的非准静态现象。研究表明,在相同的结构参数下,体硅器件的非准静态效应最强,PDSOI次之,FDSOI最弱。指出了沟道源、漏端反型时间和反型程度的不同是造成非准静态效应...
关键词：非准静态效应 全耗尽SOI 部分耗尽SOI 射频 MOSFET 
0.35μm部分耗尽SOI NMOSFET的总剂量辐射效应与偏置状态的关系
《核电子学与探测技术》2010年第8期1031-1036,共6页唐威 刘佑宝 耿增建 吴龙胜 
研究了深亚微米部分耗尽型SOI NMOSFET的抗总剂量辐射特性,主要讨论不同偏置状态对器件抗总剂量辐射性能的影响及其原因。通过器件模拟发现,辐射过程中的不同偏置状态使器件的电场分布差异很大,而器件埋层中俘获空穴的分布与电场密切相...
关键词：SOI 抗总剂量辐射 部分耗尽 俘获电荷 背沟道反型 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部