李建成

作品数：1被引量：1H指数：1
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供职机构：中国航天北京微电子技术研究所更多>>
发文主题：部分耗尽SOISOI单粒子翻转总剂量效应更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微电子学与计算机》更多>>
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部分耗尽SOI工艺器件辐射效应的研究被引量：1
《微电子学与计算机》2012年第8期138-143,共6页张晓晨 岳素格 李建成 
对0.13μm部分耗尽SOI工艺的抗辐射特性进行了研究.首先通过三维仿真研究了单粒子事件中的器件敏感区域,随后通过实验分析了器件的总剂量效应.三维仿真研究了离子入射位置不同时SOI NMOS器件的寄生双极效应和电荷收集现象,结果表明,离...
关键词：SOI 辐射效应 单粒子翻转 总剂量效应 
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