0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET热载流子可靠性研究  

Study on Hot Carrier Reliability of 0.5 μm PD SOI NMOSFET

作　　者：洪根深[1] 肖志强[1] 王栩[1] 周淼[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214035

出　　处：《微电子学》2012年第2期293-296,共4页Microelectronics

摘　　要：对0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET热载流子的可靠性进行了研究。在Vds=5V,Vgs=2.1V的条件下,加电1 000s后,宽长比为4/0.5的部分耗尽SOI H型栅NMOSFET的前栅阈值电压的漂移(ΔVt/Vt)和跨导的退化(Δgm/gm)分别为0.23%和2.98%。以器件最大跨导gm退化10%时所对应的时间作为器件寿命,依据幸运电子模型,0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET寿命可达16.82年。Hot carrier reliability of 0.5 μm partially-depletion SOI H-gate NMOSFET was studied.Threshold drift（ΔVt /Vt） and transconductance degradation（Δgm/gm） of SOI NMOSFET with W/L ratio of 4/0.5 were measured to be 0.23% and 2.98%,respectively,after applying voltage stresses of 5 V（Vds） and 2.1 V（Vgs） for 1 000 s.According to lucky-electron model of channel hot-electron injection,lifetime of the device is 16.82 years when transconductance degrades by 10%.

关 键 词：SOI 部分耗尽 NMOSFET 热载流子效应 可靠性 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]