周淼

作品数：8被引量：12H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
发文主题：SOI总剂量辐射击穿电压SOI_LDMOS比导通电阻更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微电子学》《电子元器件应用》《电子与封装》更多>>
所获基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
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一种部分超结型薄层SOI LIGBT器件的研究
《电子与封装》2022年第9期74-79,共6页周淼 汤亮 何逸涛 陈辰 周锌 
国家自然科学基金(62004034);广东省自然科学基金(2022A1515012264)。
基于介质场增强(ENDIF)理论,提出了一种部分超结型薄硅层SOI横向绝缘栅双极型晶体管(PSJ SOI LIGBT)。分析了漂移区注入剂量和超结区域位置对器件耐压性能的影响,并在工艺流程中结合线性变掺杂技术和超结技术,使该器件实现了高垂直方向...
关键词：介质场增强理论 横向绝缘栅双极型晶体管 线性变掺杂技术 超结 击穿电压 比导通电阻 
高压SOI pLDMOS总剂量辐射致BV退化研究被引量：2
《微电子学》2022年第4期706-710,共5页黄柯月 吴中华 周淼 陈伟中 王钊 周锌 
国家自然科学基金资助项目(62004034)。
对高压SOI pLDMOS器件总剂量辐射效应进行了研究。分析了不同偏置条件下器件击穿电压的退化机理,并使用TCAD在不同氧化层界面引入固定陷阱电荷,仿真了电离辐射总剂量效应。结果表明,总剂量辐射在FOX和BOX引入辐射陷阱电荷Q_(BOX)和Q_(F...
关键词：总剂量辐射 SOI pLDMOS 击穿电压 辐射陷阱电荷 
用于200V电平位移电路的薄层SOI高压LDMOS
《电子与封装》2013年第6期38-42,共5页陈正才 周淼 洪根深 高向东 苏郁秋 何逸涛 乔明 肖志强 
文章基于1.5μm厚顶层硅SOI材料,设计了用于200 V电平位移电路的高压LDMOS,包括薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS。薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS都采用多阶场板以提高器件耐压,厚栅氧pLDMOS采用场注技术形成源端补充注入,避免了器件发生背栅...
关键词：LDMOS 薄层SOI 多阶场板 场注技术 高压电平位移电路 
一种SOInLDMOS的开态特性设计
《电子元器件应用》2012年第11期39-42,共4页温恒娟 王猛 周淼 
介绍了一种用于高压电平位移电路的SOInLDMOS器件结构,对其漂移区、sink区、buffer区及场板等结构参数进行器件工艺联合仿真,并分析相关结构参数对开态特性的影响,用于指导高压MOS器件尤其是基于SOI的横向MOS器件的开态特性设计。采用...
关键词：绝缘体上的硅SOI 高压器件 开态特性 比导通电阻 
SOI SONOS EEPROM管电离总剂量辐射效应
《信息与电子工程》2012年第5期613-615,共3页陈正才 徐大为 肖志强 高向东 洪根深 徐静 周淼 
采用0.6μm SOI SONOS工艺技术平台研制了0.6μm SOI SONOS EEPROM管,分析其擦写特性。辐射前,SONOS EEPROM管的阈值窗口电压为5.04 V。利用Co-60γ源研究存储管的电离总剂量辐射特性,给出了SONOS EEPROM管擦除态、编程态的Id-Vg曲线及...
关键词：SONOS EEPROM器件 电离总剂量辐射 绝缘体上硅 
SOI抗总剂量辐射加固工艺栅氧可靠性研究被引量：3
《电子与封装》2012年第8期44-48,共5页高向东 吴建伟 刘国柱 周淼 
文章对采用了埋层二氧化硅抗总剂量加固工艺技术的SOI器件栅氧可靠性进行研究,比较了干法氧化和湿法氧化工艺的栅氧击穿电荷,干法氧化的栅氧质量劣于湿法氧化。采用更敏感的12.5nm干法氧化栅氧工艺条件,对比采用抗总剂量辐射加固工艺前...
关键词：SOI 抗总剂量辐射加固 栅氧 可靠性 QBD TBD VBD TDDB 
抗辐射数字电路加固技术研究被引量：5
《电子与封装》2012年第2期37-39,48,共4页徐大为 徐静 肖志强 高向东 洪根深 陈玉蓉 周淼 
文章对电路抗辐射的机理进行了研究,提出了几种提高数字电路抗辐射能力的方法:通过工艺控制减小辐射后的背栅阈值电压漂移,通过版图增加体接触、采用环型栅等结构提高单元的抗辐射能力,通过对电路关键节点的加固提高整体电路的抗辐射能...
关键词：抗辐射 SOI 总剂量 
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