陈玉蓉

作品数：5被引量：9H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
发文主题：单粒子翻转SRAMDICESOI单粒子效应更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《电子技术应用》《计算机应用文摘》《电子与封装》《电子产品可靠性与环境试验》更多>>
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一款NoC总线的低功耗设计
《计算机应用文摘》2024年第5期44-46,共3页徐新宇 陈玉蓉 张猛华 
随着集成电路技术的飞速发展,其集成度和复杂度越来越高,导致芯片功耗问题日益严重。文章提出一套兼容片上网络(Net on Chip,NoC)总线的功耗管理总线,针对不同电源域进行低功耗管理,通过电源域开关协议将电源域状态同步到事务活动,且不...
关键词：NoC总线 低功耗 多电源域 协议 
基于分离位线DICE结构的SRAM存储单元版图抗辐射设计被引量：1
《电子产品可靠性与环境试验》2023年第1期49-53,共5页陈玉蓉 沈婧 王蕾 
在SRAM加固设计中,存储单元的版图抗辐射设计起着重要的作用。基于分离位线的双互锁存储单元(DICE)结构,采用0.18μm体硅工艺,根据电路功能、结构和抗辐射性能,设计了一种新的NMOS隔离管的SRAM存储单元版图结构。根据分析结果,SRAM存储...
关键词：总剂量效应 单粒子翻转 单粒子闩锁效应 分离位线双互锁存储单元结构 静态随机存储器版图加固 
面向SoC的SRAM读出电路加固设计被引量：1
《电子技术应用》2021年第10期38-41,47,共5页沈婧 薛海卫 陈玉蓉 张猛华 王蕾 
SRAM存储器在SoC芯片中的应用已经越来越普遍,存储单元的加固设计已成为抗辐射SoC芯片设计首要考虑的问题之一。提出了两种SRAM读出电路的加固结构,分别从读出电路结构、数据读出速度和抗单粒子翻转能力等方面进行了对比。两种读出结构...
关键词：SOC 单粒子翻转 SRAM读出电路 数据读出速度 
驱动能力对SOI SRAM单元单粒子效应的影响仿真被引量：2
《电子与封装》2012年第7期34-37,共4页徐静 陈玉蓉 洪根深 
SOI集成电路研发中心基金资助项目(62501100414)
采用silvaco软件对抗辐射不同沟道宽度的PD SOI NMOS器件单元进行了三维SEU仿真,将瞬态电流代入电路模拟软件HSPICE中进行SRAM存储单元单粒子翻转效应的电路模拟。通过这种电路模拟的方法,可以得到SRAM存储单元的LET阈值。通过对比LET...
关键词：SOI SEU 三维仿真 
抗辐射数字电路加固技术研究被引量：5
《电子与封装》2012年第2期37-39,48,共4页徐大为 徐静 肖志强 高向东 洪根深 陈玉蓉 周淼 
文章对电路抗辐射的机理进行了研究,提出了几种提高数字电路抗辐射能力的方法:通过工艺控制减小辐射后的背栅阈值电压漂移,通过版图增加体接触、采用环型栅等结构提高单元的抗辐射能力,通过对电路关键节点的加固提高整体电路的抗辐射能...
关键词：抗辐射 SOI 总剂量 
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