薛海卫

作品数：16被引量：33H指数：4
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供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
发文主题：单粒子翻转电路SRAM数字信号处理器寄存器更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术核科学技术更多>>
发文期刊：《微电子学》《微电子学与计算机》《电子技术应用》《半导体技术》更多>>
所获基金：国家科技重大专项国家自然科学基金更多>>
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面向SoC的SRAM读出电路加固设计被引量：1
《电子技术应用》2021年第10期38-41,47,共5页沈婧 薛海卫 陈玉蓉 张猛华 王蕾 
SRAM存储器在SoC芯片中的应用已经越来越普遍,存储单元的加固设计已成为抗辐射SoC芯片设计首要考虑的问题之一。提出了两种SRAM读出电路的加固结构,分别从读出电路结构、数据读出速度和抗单粒子翻转能力等方面进行了对比。两种读出结构...
关键词：SOC 单粒子翻转 SRAM读出电路 数据读出速度 
一种数字信号处理器的单粒子翻转加固设计被引量：5
《固体电子学研究与进展》2021年第4期299-303,共5页薛海卫 沈婧 王进祥 魏敬和 
国家科技重大专项支持项目(2014ZX01022201-001)。
为了降低数字信号处理器(DSP)电路在太空中发生单粒子翻转事件,本文从触发器单元、存储模块及电路系统三个层面论述了DSP的抗单粒子翻转加固设计。采用该抗单粒子翻转加固方法,实现了一款基于0.18μm CMOS体硅工艺的DSP电路,该电路逻辑...
关键词：数字信号处理器 单粒子翻转 抗单粒子翻转加固设计 辐照试验 
一种多数据同步互斥管理机制的实现
《微电子学》2021年第2期225-229,共5页林康 张玲 于宗光 陈振娇 薛海卫 
国家自然科学基金资助项目(61704161)。
不同数据间同步互斥是影响多核处理器核间通信的重要因素。为提高不同数据节点间的通信效率,降低通信延迟,并减少数据传输的丢包现象,结合自适应随机早期检测(ARED)算法和二进制指数退避(BEB)算法,提出一种软硬件结合的同步互斥管理分...
关键词：同步互斥 ARED算法 丢包率 延迟 
深亚微米SOI工艺NMOS器件瞬时剂量率效应数值模拟被引量：2
《电子技术应用》2019年第12期59-61,66,共4页薛海卫 张猛华 杨光安 
为了研究深亚微米SOI工艺NMOS器件的瞬时剂量率效应,采用TCAD工具对0.13μm SOI工艺H型NMOS器件进行三维建模仿真。选取γ剂量率在1×10^8~1×10^10(Gy(Si)/s)的7个点,模拟了H型NMOS器件开关两种状态下的漏电流及体接触端电流与γ剂量...
关键词：瞬时剂量率效应 三维数值模拟 深亚微米SOI H型NMOS 
基于深亚微米的低成本高可靠BOD电路被引量：1
《电子技术应用》2019年第7期40-43,43,共4页张猛华 薛海卫 于宗光 张继 陈振娇 
经常在MCU等应用系统中遇到系统电源电压出现欠压或意外掉电的情况,导致MCU的程序“跑飞”或丢失重要的数据。为了尽量避免这些情况的出现,掉电检测电路能够检测到系统供电电源异常,以提高系统的抗干扰能力和稳定性。提出一种基于180nm...
关键词：单片机 掉电检测 掉电保护 上电复位 掉电复位 
DSP处理器单粒子翻转率测试系统的研制被引量：3
《半导体技术》2019年第1期73-79,共7页雷志军 蒋炯炜 郭刚 薛海卫 雷志广 
国家×××重点项目(41424030401)
航天器及其内部元器件在太空中会受到单粒子效应(SEE)带来的威胁,因此航天用电子器件在装备前必须进行抗SEE能力的测试评估。针对传统测试方法存在的测试系统程序容易在辐照过程崩溃、统计翻转数不准确、单粒子闩锁(SEL)辨别不清晰和忽...
关键词：DSP处理器 单粒子效应(SEE) 测试系统 抗辐照 单粒子翻转率 现场可编程门阵列(FPGA) 
一种用于评估抗辐射DSP单粒子翻转的试验方法被引量：3
《微电子学与计算机》2018年第10期53-57,共5页王月玲 薛海卫 郭刚 雷志军 史淑廷 刘建成 
本文提出了评估DSP电路单粒子翻转效应的试验方法,该方法包含单独静态检测SRAM、通过CPU读取内部寄存器和功能检测等三种方式.根据该方法,设计了DSP电路的单粒子翻转检测软件系统和硬件检测系统,并在HI-13串列重离子加速器上进行了单粒...
关键词：单粒子翻转 试验方法 抗辐射加固 DSP 
基于TDICE单元的SRAM抗SEU加固设计
《微电子学与计算机》2016年第7期39-43,共5页孙敬 陈振娇 陶建中 薛海卫 徐新宇 
双立互锁存储单元(DICE),在保持状态下是一种可靠有效的单粒子翻转(SEU)加固方法,但是,基于DICE单元的SRAM在读操作下会发生抗SEU失效.相比抗单个敏感节点翻转的效果,DICE抗多个敏感节点翻转的能力较弱.为此,在DICE结构的基础上采用读...
关键词：SRAM 单粒子翻转 DICE 读写分离 TDICE 
基于DICE结构的SRAM抗辐照加固设计被引量：6
《电子与封装》2016年第3期26-30,共5页沈婧 薛海卫 
存储单元的加固是SRAM加固设计中的一个重要环节。经典DICE单元可以在静态情况下有效地抗单粒子翻转,但是动态情况下抗单粒子翻转能力较差。提出了分离位线的DICE结构,使存储单元在读写状态下具有一定的抗单粒子效应能力。同时,对外围...
关键词：SRAM加固 DICE 分离位线 单粒子翻转 
一款32位定点DSP电路的设计
《电子与封装》2013年第9期22-25,30,共5页薛海卫 张庆文 王月玲 徐新宇 
文章通过对32位定点DSP的体系结构及其设计方法的研究,重点阐述了32位定点DSP中CPU包括ALU、MPY、ARAU、流水线、指令系统和总线接口等关键逻辑部件工作原理,对各个逻辑部件的设计思路和实现方法进行了分析描述。采用基于标准单元正向...
关键词：32位 定点DSP 体系结构 CPU 
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