一种部分超结型薄层SOI LIGBT器件的研究  

Study on a Thin Layer SOI LIGBT Device with Partial Superjunction

作　　者：周淼[1] 汤亮[1] 何逸涛 陈辰 周锌[3,4] ZHOU Miao;TANG Liang;HE Yitao;CHEN Chen;ZHOU Xin(China Electronics Technology Group Corporation No.58 Research Institute,Wuxi 214035,China;Zhuzhou CRRC Times Semiconductor Co.,Ltd.,Zhuzhou 412000,China;Power Integration Technology Laboratory,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,China;Guangdong Institute of Electronic andInformation Engineering of UESTC,Dongguan 523000)

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214035 [2]株洲中车时代半导体有限公司,湖南株洲412000 [3]电子科技大学功率集成技术实验室,成都610054 [4]电子科技大学广东电子信息工程研究院,广东东莞523000

出　　处：《电子与封装》2022年第9期74-79,共6页Electronics & Packaging

基　　金：国家自然科学基金(62004034);广东省自然科学基金(2022A1515012264)。

摘　　要：基于介质场增强(ENDIF)理论,提出了一种部分超结型薄硅层SOI横向绝缘栅双极型晶体管(PSJ SOI LIGBT)。分析了漂移区注入剂量和超结区域位置对器件耐压性能的影响,并在工艺流程中结合线性变掺杂技术和超结技术,使该器件实现了高垂直方向耐压和低导通电阻。测试结果表明,该器件的耐压达到816 V,比导通电阻仅为12.5Ω·mm^(2)。Based on the enhanced dielectric layer field(ENDIF)theory,a partial superjunction thin layer SOI lateral insulated gate bipolar transistor(PSJ SOI LIGBT)is proposed.The effects of drift injection dose and superjunction location on the breakdown voltage of the device have been analyzed.Combined with linear variable doping technology and superjunction technology in the process flow,the device achieves high voltage resistance and low on-resistance.The test results show that the withstand voltage of the device reaches 816 V and the specific on-resistance is only 12.5Ω·mm^(2).

关 键 词：介质场增强理论 横向绝缘栅双极型晶体管 线性变掺杂技术 超结 击穿电压 比导通电阻 

分 类 号：TN323.4[电子电信—物理电子学]