温恒娟

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一种SOInLDMOS的开态特性设计
《电子元器件应用》2012年第11期39-42,共4页温恒娟 王猛 周淼 
介绍了一种用于高压电平位移电路的SOInLDMOS器件结构,对其漂移区、sink区、buffer区及场板等结构参数进行器件工艺联合仿真,并分析相关结构参数对开态特性的影响,用于指导高压MOS器件尤其是基于SOI的横向MOS器件的开态特性设计。采用...
关键词：绝缘体上的硅SOI 高压器件 开态特性 比导通电阻 
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