汤仙明

作品数:2被引量:3H指数:2
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供职机构:杭州士兰微电子股份有限公司更多>>
发文主题:开关电源控制电路电源供电双极型晶体管电流感应更多>>
发文领域:电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>
发文期刊:《微电子学》《电子器件》更多>>
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部分耗尽SOI ESD保护电路的研究被引量:2
《电子器件》2012年第2期208-211,共4页汤仙明 韩郑生 
为了解决SOI技术的ESD问题,我们设计了一种适用于部分耗尽SOI的栅控二极管结构的ESD保护电路,并进行了ESD实验。通过实验研究了SOI顶层硅膜厚度、栅控二极管的沟道长度和沟道宽度,限流电阻以及电火花隙等因素对保护电路抗ESD性能的影响...
关键词:绝缘衬底上的硅 静电放电 栅控二极管 人体放电模型 
CMOS/SOI64-kB SRAM抗ESD实验被引量:2
《微电子学》2004年第6期636-639,共4页汤仙明 韩郑生 周小茵 海潮和 赵立新 
 设计了一种SOI栅控二极管结构的ESD保护电路,并将其应用到64kBSRAM电路上,进行了管脚摸底实验和电路的整体抗静电实验。通过实验,研究了ESD保护电路各项参数对ESD性能的影响。实验结果表明,这种结构的ESD保护电路的抗ESD能力达到了设...
关键词:SOI ESD 栅控二极管 SRAM 
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