周小茵

作品数：6被引量：20H指数：3
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：SOI静态随机存储器CMOSSRAM随机存储器更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《微电子学》《电子器件》《Journal of Semiconductors》更多>>
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Total Dose Radiation Hardened PDSOI CMOS 64k SRAMs被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第8期1184-1186,共3页郭天雷 赵发展 刘刚 李多力 李晶 赵立新 周小茵 海潮和 韩郑生 
The first domestic 1×10^6rad（Si） total dose hardened 1.2μm partially depleted silicon-on-insulator （PDSOI） 64k SRAM fabricated in SIMOX is demonstrated.The address access time is independent of temperature from ...
关键词：PDSOI SRAM total dose RADIATION 
PDSOI静态随机存储器的总剂量辐照加固被引量：4
《电子器件》2007年第3期794-798,共5页郭天雷 韩郑生 海潮和 周小茵 李多力 赵立新 
对PDSOI CMOS器件及电路进行总剂量辐照的加固势必会引起其性能下降,这就需要在器件及电路加固和其性能之间进行折中.从工艺集成的角度,对PDSOI CMOS器件和电路的总剂量辐照敏感区域:正栅氧化层、场区氧化层及埋氧层提出了折中的方法....
关键词：总剂量辐照 静态随机存储器 工艺集成 加固 
提高SOI器件和电路性能的研究被引量：5
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期322-327,共6页海潮和 韩郑生 周小茵 赵立新 李多力 毕津顺 
在分析SOI器件的浮体效应、击穿特性、背栅阈值、边缘漏电、ESD及抗辐照特性的基础上,提出了提高SOI器件和电路性能的技术途径.体接触是防止浮体效应的最好方法;正沟道和背沟道的BF2/B离子注入可以分别满足阈值和防止背栅开启的需要;SO...
关键词：SOI 浮体效应 沟道 抗辐照 
CMOS/SOI64-kB SRAM抗ESD实验被引量：2
《微电子学》2004年第6期636-639,共4页汤仙明 韩郑生 周小茵 海潮和 赵立新 
　设计了一种SOI栅控二极管结构的ESD保护电路,并将其应用到64kBSRAM电路上,进行了管脚摸底实验和电路的整体抗静电实验。通过实验,研究了ESD保护电路各项参数对ESD性能的影响。实验结果表明,这种结构的ESD保护电路的抗ESD能力达到了设...
关键词：SOI ESD 栅控二极管 SRAM 
CMOS/SOI64Kb静态随机存储器被引量：8
《Journal of Semiconductors》2001年第1期47-52,共6页韩郑生 周小茵 海潮和 刘忠立 吴德馨 
对一种 CMOS/ SOI6 4Kb静态随机存储器进行了研究 ,其电路采用 8K× 8的并行结构体系 .为了提高电路的速度 ,采用地址转换监控 ( Address- Translate- Detector,ATD)、两级字线 ( Double- Word- L ine,DWL)和新型的两级灵敏放大等技术 ...
关键词：ATD电路 DWL技术 CMOS SOI 静随机存储器 
切割曝光技术及其在器件研究上的应用
《Journal of Semiconductors》1999年第7期624-629,共6页海潮和 陈焕章 周小茵 陈宝钦 刘改芬 
本文描述了一种微电子工艺制造中的切割曝光技术，用这一技术在一台Ｇ线投影曝光机上制备出深亚微米图形．由此进一步研制成功０．２５μｍＰ＋多晶硅栅表面沟ＰＭＯＳＦＥＴ，它具有良好的器件特性和抵制短沟道效应的能力．对不同沟长...
关键词：IC 切割曝光技术 制造工艺 
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