Total Dose Radiation Hardened PDSOI CMOS 64k SRAMs  

总剂量辐照加固的PDSOI CMOS 64k静态随机存储器(英文)

作　　者：郭天雷[1] 赵发展[1] 刘刚[1] 李多力[1] 李晶[1] 赵立新[1] 周小茵[1] 海潮和[1] 韩郑生[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第8期1184-1186,共3页半导体学报（英文版）

摘　　要：The first domestic 1×10^6rad（Si） total dose hardened 1.2μm partially depleted silicon-on-insulator （PDSOI） 64k SRAM fabricated in SIMOX is demonstrated.The address access time is independent of temperature from -55 to 125℃ and independent of radiation up to 1×10^6rad（Si） for the supply voltage VDD.The standby current is 0.65μA before the total dose of radiation and is only 0.80mA after radiation exposure,which is much better than the specified 10mA.The operating power supply current is 33.0mA before and only 38.1mA afterward,which is much better than the specified 100mA.在国内首次使得1.2μm部分耗尽SOI 64k静态随机存储器的抗总剂量能力达到了1×10^6 rad（Si）,其使用了SIMOX晶圆. 在-55～125℃范围内,该存储器的数据读取时间几乎不变.在经过剂量为1×10^6 rad（Si）的总剂量辐照后,该存储器的数据读取时间也几乎不变,静态功耗仅从辐照前的0.65μA变化为辐照后的0.8mA,远远低于规定的10mA指标;动态功耗仅从辐照前的33mA变化为辐照后的38.1mA,远远低于规定的100mA指标.

关 键 词：PDSOI SRAM total dose RADIATION 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]