李晶

作品数：5被引量：2H指数：1
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：静电放电不均匀度ESD防护多芯片绝缘体上硅更多>>
发文领域：自动化与计算机技术电子电信交通运输工程机械工程更多>>
发文期刊：《半导体技术》《数字通信世界》《功能材料与器件学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
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存储器写禁止时间参数的测试方法
《数字通信世界》2023年第5期77-80,共4页孙燊 马闪闪 李晶 赵发展 
重点研发计划纳米级芯片硬件综合安全评估关键技术研究项目课题四纳米级处理器芯片逆向分析(课题编号:2021YFB3100904)。
文章提出了一种利用自动化测试机台进行存储器写禁止时间参数的数值测试方法。通过原理与实例结合的方式,介绍了一种通过测试辅助参数并计算的方式测试写禁止时间具体数值的方法,并有效地对参数进行时间定位,解决了写禁止时间在仿真或...
关键词：存储器 写禁止时间 时间参数 自动化测试机台 
PDSOI NMOS/CMOS闩锁特性
《功能材料与器件学报》2009年第5期429-434,共6页曾传滨 海潮和 李晶 李多力 韩郑生 
本文研究了部分耗尽绝缘体上的硅(PDSOI)NMOS、CMOS结构的闩锁(latch)特性。提出了一种体电极触发诱发PDSOI NMOS器件闩锁效应维持电压的测试方法,并用此方法测试出了不同栅长、栅宽和体接触结构NMOS/CMOS的闩锁效应维持电压,以及沟道...
关键词：绝缘体上的硅 闩锁 金属氧化物半导体 
采用容性封装技术提高ESD防护性能研究
《半导体技术》2009年第9期876-880,共5页曾传滨 海潮和 李晶 李多力 韩郑生 
提出了一种通过在电源线与地线之间加入外部电容以吸收ESD脉冲的新型集成电路ESD保护方法。分析了这种方法在提高产品ESD防护性能方面的可行性,并用TLP设备测量出了一0.1μF电容在吸收4A TLP ESD电流脉冲时电容两端电压随时间的变化曲...
关键词：静电放电 电容 封装 传输线脉冲发生器 钳位电路 集成电路 
传输线脉冲发生器电压探测中振荡问题的研究被引量：1
《半导体技术》2009年第4期365-369,共5页曾传滨 李晶 王显泰 海潮和 韩郑生 
对传输线脉冲发生器电压探测中的振荡问题进行了研究。通过减小电压探头的寄生电感克服了振铃问题,通过缩短电压探头和待测器件之间的传输段传输线长度降低了探头处实际承受的上冲电压,从而有效地抑制了传输线脉冲发生器电压探测中的振...
关键词：静电放电 传输线脉冲发生器 振铃 上冲 电压探测 电压波形 
Total Dose Radiation Hardened PDSOI CMOS 64k SRAMs被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第8期1184-1186,共3页郭天雷 赵发展 刘刚 李多力 李晶 赵立新 周小茵 海潮和 韩郑生 
The first domestic 1×10^6rad（Si） total dose hardened 1.2μm partially depleted silicon-on-insulator （PDSOI） 64k SRAM fabricated in SIMOX is demonstrated.The address access time is independent of temperature from ...
关键词：PDSOI SRAM total dose RADIATION 
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