闩锁

作品数：147被引量：132H指数：6
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一种具有可调折返过流保护的LDO电路设计
《电子与封装》2025年第2期62-67,共6页王晶 张瑛 李玉标 罗寅 方玉明 
江苏省研究生科研与实践创新计划(KYCX24_1167);航空科学基金(202200240X9001)。
基于CSMC 0.18μm BCD工艺,设计了一种具有可调折返限流功能且无须内部补偿的低压差线性稳压器(LDO)。为防止闩锁,设计了一个可通过外部单电阻调整折返点的限流结构。此外,为了降低LDO环路补偿的设计难度,设计了一种无须内部补偿的LDO...
关键词：低压差线性稳压器 过流保护 折返限流 闩锁 无内部补偿 
离散量采集模块自测试电路故障分析
《山西电子技术》2024年第6期12-14,47,共4页郭警涛 唐铂 程博 蔡云姗 
对离散量采集模块上电自测试电路故障进行了分析定位,该故障仅导致离散量输入信号自测试错误,不影响正常采集电路功能。通过数据采集分析,将故障定位为干扰触发了自测试电路中开关器件的闩锁,造成故障。对自测试电路进行改进,通过试验验...
关键词：离散量采集 自测试 闩锁 
BCD工艺在高压功率驱动电路中的应用
《微处理机》2024年第5期54-56,60,共4页吴会利 林雨佳 孔祥旭 宋博尊 
随着集成电路技术的快速发展,高压功率驱动电路在工业和汽车电子等领域得到广泛应用。为深入理解、开发和掌握先进BCD工艺技术,更好发挥其兼容Bipolar、CMOS和DMOS工艺的优势,通过介绍BCD工艺的特点及其发展历程,结合600 V高压功率驱动...
关键词：BCD工艺 隔离技术 电压转换 功率驱动电路 兼容性 闩锁效应 叉指结构 多晶硅栅 
集成电路的闩锁测试
《环境技术》2023年第7期127-131,共5页赵俊萍 孙健 
基于闩锁测试标准中提供的方法和流程,本文针对复杂集成电路中包含的特殊性质的管脚,对实际闩锁测试过程中特殊性质引脚的处理方法及注意事项进行了详细的阐述,为测试人员正确理解并执行集成电路闩锁测试标准提供了依据,也为准确评估集...
关键词：闩锁 测试标准 特殊管脚 
如何避免静电保护器件发生闩锁效应被引量：1
《质量与可靠性》2023年第2期14-17,共4页杨城 
可控硅(Silicon Controller Rectifier,SCR)技术被广泛用于静电保护器件设计中,其优点是降低了箝位电压(Vclamp),但其特殊的I-V回扫特性容易触发闩锁。通过对闩锁效应原理进行研究,并结合实际的案例分析基于可控硅技术的静电保护器件I-...
关键词：可控硅 回扫 闩锁效应 静电保护器件 
α-溶血素纳米孔道限域空间内的识别
《分析试验室》2022年第12期1460-1472,共13页钟汶君 黎亚萍 杨咏琪 周翠松 
国家自然科学基金面上项目(21775106,21974091)资助。
α-溶血素纳米孔道已被广泛认为是一种天然且理想的生物纳米传感界面。其凭借多重限域空间的敏感识别和多相互作用位点,提供了一个可精确识别待测分子构象和实时监测微观反应过程的通用平台,并广泛用于核酸、氨基酸、多肽、聚合物以及...
关键词：α-溶血素纳米孔道 限域空间 β-桶 内腔 闩锁区域 单分子水平识别 
一种高维持电压的新型闩锁免疫双向可控硅
《微电子学》2022年第6期1044-1049,共6页孙浩楠 李浩亮 杨潇楠 
国家自然科学基金资助项目(61874099)
传统DDSCR器件过低的维持电压容易造成闩锁效应。提出了一种新型DDSCR,在传统器件阳极与阴极之间加入了浮空高掺杂的N+与P+有源区,通过P+有源区复合阱内的电子,N+有源区将电流通过器件深处电阻较低SCR路径泄放的方式来解决传统器件维持...
关键词：静电放电 维持电压 双向可控硅 闩锁效应 TCAD仿真 
IGBT的工作特性及常见失效机理研究被引量：1
《产业科技创新》2022年第2期44-46,共3页陈松柏 
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是电力电子设备中的核心器件,被广泛用于轨道牵引、新能源发电、智能电网以及国防军工等领域,IGBT的可靠运行的主要依靠IGBT驱动电路的控制和保护,IGBT驱动保护电路作为控...
关键词：IGBT 动态特性 静态特性 闩锁效应 短路 
一种双极型电路在空间单粒子环境下的闩锁效应
《环境技术》2022年第2期84-87,共4页彭克武 钟英俊 江军 付晓君 
本文介绍了一种双极型模拟集成电路在空间单粒子环境下的闩锁效应,打破了双极型器件单粒子闩锁免疫的传统概念,该研究主要针对双极型模拟集成电路多个器件共用一个隔离岛,形成寄生PNP,与隔离岛内NPN管形成了P-N-P-N可控硅(SCR)结构,在...
关键词：双极器件 共用隔离岛 寄生PNP P-N-P-N结构 单粒子闩锁 
一种防闩锁的多嵌入阱SCR ESD器件
《微电子学》2022年第1期91-97,共7页侯佳力 胡毅 贺俊敏 王源 
国家电网有限公司总部管理科技项目资助(5100-201941436A-0-0-00)。
针对高压BCD工艺使用SCR器件ESD保护时面临的高触发电压与低维持电压之间的矛盾,设计了一种多嵌入阱可控硅(MEWSCR)结构。相比于常规SCR结构,首先,通过移动阳极/阴极的N+/P+掺杂区引入辅助泄放器件,MEWSCR结构实现了二次触发,增加了维...
关键词：静电放电 硅控整流器 维持电压 闩锁 
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