切割曝光技术及其在器件研究上的应用  

作　　者：海潮和[1] 陈焕章[1] 周小茵[1] 陈宝钦[1] 刘改芬 

机构地区：[1]中国科学院微电子中心

出　　处：《Journal of Semiconductors》1999年第7期624-629,共6页半导体学报（英文版）

摘　　要：本文描述了一种微电子工艺制造中的切割曝光技术，用这一技术在一台Ｇ线投影曝光机上制备出深亚微米图形．由此进一步研制成功０．２５μｍＰ＋多晶硅栅表面沟ＰＭＯＳＦＥＴ，它具有良好的器件特性和抵制短沟道效应的能力．对不同沟长ＮＭＯＳ和ＰＭＯＳＦＥＴ的研究表明，当沟道长度从２．０μｍ降至０．５μｍ时，表面沟ＰＭＯＳ管阈值电压的变化（ΔＶＴ）约为６０ｍＶ，而ＮＭＯＳ管相应ΔＶＴ为１１０ｍＶ．计算机模拟的切割曝光和单线曝光立体图象也清楚地表明，切割曝光方法对于消除二次谐波影响，提高分辨率具有一定作用．

关 键 词：IC 切割曝光技术 制造工艺 

分 类 号：TN405.7[电子电信—微电子学与固体电子学]