陈焕章

作品数：3被引量：12H指数：1
导出分析报告
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：锗SOI工艺薄栅硅化物全耗尽更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
全耗尽CMOS/SOI工艺被引量：11
《Journal of Semiconductors》2003年第1期104-108,共5页刘新宇 孙海峰 刘洪民 陈焕章 扈焕章 海潮和 和致经 吴德馨 
对全耗尽 CMOS/ SOI工艺进行了研究 ,成功地开发出成套全耗尽 CMOS/ SOI抗辐照工艺 .其关键工艺技术包括 :氮化 H2 - O2 合成薄栅氧、双栅和注 Ge硅化物等技术 .经过工艺投片 ,获得性能良好的抗辐照 CMOS/ SOI器件和电路 (包括 10 1级...
关键词：全耗尽 CMOS SOI工艺 氮化H2-O2合成薄栅氧 双栅 注Ge硅化物 注锗 
部分耗尽CMOS/SOI工艺被引量：1
《Journal of Semiconductors》2001年第6期806-810,共5页刘新宇 孙海峰 陈焕章 扈焕章 海潮和 刘忠立 和致经 吴德馨 
对部分耗尽 CMOS/ SOI工艺进行了研究 ,成功地开发出成套部分耗尽 CMOS/ SOI抗辐照工艺 .其关键工艺技术包括 :PBL (Poly- Buffered L OCOS)隔离、沟道工程和双层布线等技术 .经过工艺投片 ,获得性能良好的抗辐照 CMOS/ SOI器件和电路 ...
关键词：PBL 沟道工程 双层布线 CMOS/SOI工艺 集成电路 
切割曝光技术及其在器件研究上的应用
《Journal of Semiconductors》1999年第7期624-629,共6页海潮和 陈焕章 周小茵 陈宝钦 刘改芬 
本文描述了一种微电子工艺制造中的切割曝光技术，用这一技术在一台Ｇ线投影曝光机上制备出深亚微米图形．由此进一步研制成功０．２５μｍＰ＋多晶硅栅表面沟ＰＭＯＳＦＥＴ，它具有良好的器件特性和抵制短沟道效应的能力．对不同沟长...
关键词：IC 切割曝光技术 制造工艺 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部