刘洪民

作品数：7被引量：25H指数：3
导出分析报告
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：CMOS/SOI静态随机存储器INGAP/GAAS_HBT锗SOI工艺更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《半导体技术》《电子器件》《功能材料与器件学报》《微电子学》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-7
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
100mm InGaP/GaAs HBT及相关电路关键工艺被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第1期106-110,共5页石瑞英 孙海锋 刘训春 刘洪民 
国家重点基础研究发展计划资助项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 0 40 3 )~~
对 10 0mmIn0 .49Ga0 .51P/GaAsHBT器件及相关电路制备中的In0 .49Ga0 .51P腐蚀问题、聚酰亚胺平面化、空气桥等几项关键工艺进行了研究 ,解决了器件及电路制备过程中出现的难题 ,尤其是用很简单的方法解决了In0 .49 Ga0 .51P腐蚀过程...
关键词：In0.49Ga0.51P腐蚀 聚酰亚胺平面化 空气桥 
0.2μmT形栅技术在10Gbps激光驱动电路研制中的应用
《Journal of Semiconductors》2004年第10期1335-1337,共3页张海英 刘训春 罗明雄 刘洪民 王润梅 
国家自然科学基金 (批准号 :60 2 760 2 1);国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 2 CB3 1190 1)资助项目~~
0.2μm T形栅制作技术在 10 0 mm Ga As激光驱动电路芯片研制中获得了成功的应用 .优化的栅制作工艺保证了形貌良好的栅线条 ,获得了优良的晶体管直流参数和高频性能 .栅工艺重复性好 ,整片内器件性能均匀一致 ,确保了电路的成功研制 ....
关键词：GAAS PHEMT T形栅 激光调制驱动电路 
Ka波段低噪声放大器的设计被引量：1
《电子器件》2004年第3期389-392,共4页韩振宇 张海英 刘洪民 李井龙 陈晓哲 
国家重点基础研究发展规划 ( 973 ;G2 0 0 2 CB3 1 1 90 6)资助项目
利用 p HEMT工艺设计了一个 Ka波段微波单片低噪声放大器电路。电路采用四级放大的结构形式。利用微带电路实现射频输入、输出和级间匹配。采用多目标优化方法对电路增益、噪声系数、驻波比、稳定系数和输出 1 d B压缩点等特性进行了研...
关键词：毫米波单片集成电路 KA波段 赝配高电子迁移率晶体管 低噪声放大器 
边界扫描测试电路的设计被引量：7
《微电子学》2003年第1期71-73,77,共4页王孜 刘洪民 吴德馨 
　讨论了边界扫描测试电路的设计方法和电路的基本结构,并针对光纤通信系统中的32:1时分复用芯片设计了边界扫描电路,给出了模拟结果。
关键词：边界扫描测试电路 设计方法 光纤通信 时分复用芯片 板级测试 IEEE标准1149.1 
全耗尽CMOS/SOI工艺被引量：11
《Journal of Semiconductors》2003年第1期104-108,共5页刘新宇 孙海峰 刘洪民 陈焕章 扈焕章 海潮和 和致经 吴德馨 
对全耗尽 CMOS/ SOI工艺进行了研究 ,成功地开发出成套全耗尽 CMOS/ SOI抗辐照工艺 .其关键工艺技术包括 :氮化 H2 - O2 合成薄栅氧、双栅和注 Ge硅化物等技术 .经过工艺投片 ,获得性能良好的抗辐照 CMOS/ SOI器件和电路 (包括 10 1级...
关键词：全耗尽 CMOS SOI工艺 氮化H2-O2合成薄栅氧 双栅 注Ge硅化物 注锗 
边界扫描测试技术被引量：1
《半导体技术》2002年第9期17-20,29,共5页王孜 刘洪民 吴德馨 
边界扫描技术是一种标准化的可测试性设计方法,它提供了对电路板上元件的功能、互连及相互间影响进行测试的一种新方案,极大地方便了系统电路的测试。介绍了边界扫描技术的原理、结构,讨论了边界扫描技术的应用。
关键词：边界扫描 边界扫描测试技术 印刷电路板 BST 可测试性设计 
CMOS/SOI 4kb静态随机存储器被引量：4
《功能材料与器件学报》2002年第2期165-169,共5页刘新宇 孙海峰 刘洪民 韩郑生 海潮和 
对一种CMOS/SOI4kb静态随机存储器进行了研究,其电路采用1k×4的并行结构体系。为了提高电路的速度和降低功耗,采用地址转换监控Address-Translate-Detector(ATD)、两级字线Double-Word-Line(DWL)和新型的两级灵敏放大等技术,其地址取...
关键词：CMOS/SOI 静态随机存储器 ATD电路 DWL技术 抗辐照工艺 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部