Ka波段低噪声放大器的设计  

A Design of Ka Band Low Noise Amplifier

作　　者：韩振宇[1] 张海英[1] 刘洪民[1] 李井龙[1] 陈晓哲[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029

出　　处：《电子器件》2004年第3期389-392,共4页Chinese Journal of Electron Devices

基　　金：国家重点基础研究发展规划 ( 973 ;G2 0 0 2 CB3 1 1 90 6)资助项目

摘　　要：利用 p HEMT工艺设计了一个 Ka波段微波单片低噪声放大器电路。电路采用四级放大的结构形式。利用微带电路实现射频输入、输出和级间匹配。采用多目标优化方法对电路增益、噪声系数、驻波比、稳定系数和输出 1 d B压缩点等特性进行了研究。设计出一个增益大于 2 0 d B,噪声系数小于 1 .0 d B,1 d B压缩点的输出功率在 1 0 d Bm以上 ,性能优异的 LNA。A Ka band monolithic-microwave integrated-circuit(MMIC) low noise amplifier with PHEMT process is presented. A four-stage structure is used in this circuit. Microstrip line matching network are used for input match, output match and inter-stage matching networks. The properties such as gain, noise figure, VSWR, stability factor and output 1dB compression point are discussed by a multi-purpose optimization method. The Ka band LNA exhibits a gain of 20 dB, noise figure of less than 1.0 dB, output power of 1 dB compression point more than 10 dBm from 33 to 37 GHz.

关 键 词：毫米波单片集成电路 KA波段 赝配高电子迁移率晶体管 低噪声放大器 

分 类 号：TN45[电子电信—微电子学与固体电子学]