T形栅

作品数：12被引量：5H指数：2
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：谢常青韩安云郝跃杨翠毛维更多>>
相关机构：成都海威华芯科技有限公司中国电子科技集团第十三研究所中国科学院微电子研究所西安电子科技大学更多>>
相关期刊：《半导体技术》《微纳电子技术》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
f_T为102GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
《半导体技术》2014年第6期419-422,共4页沈群力 韩婷婷 敦少博 吕元杰 顾国栋 冯志红 
研究了一款高性能的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件(HEMT),器件基于在蓝宝石衬底上外延生长的AlGaN/GaN异质结构HEMT材料,器件栅长为86 nm,源漏间距为0.8μm。电子束光刻实现T型栅和源漏,保证了器件小的栅长和高的对准精度。制备的器...
关键词：AlGaNGaN 高电子迁移率晶体管(HEMT) T形栅 源漏间距 
100nm GaAsMHEMT器件研制
《固体电子学研究与进展》2012年第6期548-550,589,共4页康耀辉 徐筱乐 高建峰 陈辰 
应用电子束直写技术成功制作了栅长100nm的高性能In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As GaAs MHEMT(渐变组分高电子迁移率晶体管)。从工艺角度,结合器件的小信号等效电路的理论分析,优化了器件T形栅尺寸与工艺,从而减小了器件寄生参数,达到了...
关键词：渐变组分高电子迁移率晶体管 T形栅 截止频率 
156GHz 0.15μm GaAs Metamorphic HEMT器件研制
《固体电子学研究与进展》2010年第1期51-53,128,共4页康耀辉 高建峰 黄念宁 陈堂胜 
应用电子束直写技术成功制作了栅长0.15μm的高性能In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As GaAs MHEMT。从工艺角度,结合器件的小信号等效电路的理论分析,优化了器件源漏间距,从而减小了器件寄生参数,达到了较好的器件性能。最终制作的In0.52Al...
关键词：渐变组分高迁移率晶体管 T形栅 截止频率 
具有136GHz的0.18m GaAs Metamorphic HEMT器件
《固体电子学研究与进展》2009年第2期167-169,共3页康耀辉 张政 朱赤 高剑锋 
应用电子束直写技术成功制作了栅长0.18μm的高性能In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As MHEMT。从工艺角度,结合器件的小信号等效电路的理论分析,优化了器件结构,特别是T形栅结构,从而减小了器件寄生参数,达到了较好的器件性能。最终制作的I...
关键词：渐变组分高迁移率晶体管 T形栅 截止频率 
24～38GHz GaAs单片低噪声放大器的研制
《中国电子科学研究院学报》2009年第2期148-151,共4页张秀霞 王民娟 
介绍了24～38GHz低噪声放大器MMIC的研制。分析了微波晶体管放大器的噪声特性,针对噪声系数和增益,利用软件进行电路仿真优化和电磁场分析,设计制作电路版图,在标准3inGaAs工艺线进行工艺制作。采用电子束制作0.20μm"T"形栅,利用选择...
关键词：GAAS 低噪声放大器 “T”形栅 电路仿真 单片微波集成电路 
0.2μmT形栅技术在10Gbps激光驱动电路研制中的应用
《Journal of Semiconductors》2004年第10期1335-1337,共3页张海英 刘训春 罗明雄 刘洪民 王润梅 
国家自然科学基金 (批准号 :60 2 760 2 1);国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 2 CB3 1190 1)资助项目~~
0.2μm T形栅制作技术在 10 0 mm Ga As激光驱动电路芯片研制中获得了成功的应用 .优化的栅制作工艺保证了形貌良好的栅线条 ,获得了优良的晶体管直流参数和高频性能 .栅工艺重复性好 ,整片内器件性能均匀一致 ,确保了电路的成功研制 ....
关键词：GAAS PHEMT T形栅 激光调制驱动电路 
应用于PHEMT器件的深亚微米T形栅光刻技术被引量：3
《微纳电子技术》2002年第7期39-42,共4页谢常青 陈大鹏 李兵 叶甜春 
PHEMT器件和基于它的高频单片集成电路广泛应用于现代微波/毫米波系统。当PHEMT器件的栅长缩短到足够短的时候,沿着栅宽方向的寄生电阻会影响PHEMT器件的性能。为了解决这个问题,一种具有大截面面积而底部长度却很小的T形栅结构通常被...
关键词：PHEMT器件 光刻技术 T形栅 光学光刻 电子束光刻 X射线 集成电路 
同步辐射x射线光刻制作深亚微米T形栅
《微纳电子技术》2002年第6期39-41,共3页谢常青 陈大鹏 李兵 叶甜春 
x射线光刻非常适合用于深亚微米T形栅的制作,这是因为它的高分辨率、大的曝光视场和高的生产效率足以满足MMIC制造工艺的要求。本文中我们首先对我们的x射线掩模制造工艺进行介绍,然后论述了一种用于制造深亚微米T形栅的两层胶工艺,介...
关键词：光刻制作 深亚微米 T形栅 X射线掩模 X射线光刻 同步辐射 
多介质工艺X射线光刻制作T形栅被引量：1
《真空科学与技术》2002年第3期239-241,共3页孙加兴 叶甜春 谢常青 申云琴 刘刚 
半导体器件日益向高频、高速方向发展 ,赝质结高电子迁移率晶体管以其高频、高速、低噪声受到人们重视而发展迅速。在PHEMT的制作工艺中 ,栅线条的制作是至关重要而又极为困难的。采用X射线多介质工艺制作T形栅 ,其形貌清晰 ,线条基本可...
关键词：光刻 X射线 赝质吉高电子迁移率晶体管 T形栅 多介质工艺 半导体器件 
用于T形栅光刻的新型移相掩模技术被引量：2
《微纳电子技术》2002年第5期37-40,共4页韩安云 王育中 王维军 张 倩 田振文 樊照田 陈宝钦 崔 铮 
根据移相掩模基本原理,通过光刻工艺模拟提出了一种适于T形栅光刻的新型移相掩模技术——M-PEL。初步实验证明,M-PEL技术可在单层厚胶上经一次光刻形成理想的T形栅抗蚀剂形貌。
关键词：光学光刻 移相掩模 T形栅 M-PEL 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部