光刻制作

作品数：16被引量：28H指数：3
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：谢常青叶甜春孙加兴杨中月陈大鹏更多>>
相关机构：中国科学院中国科学院微电子研究所天津大学中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关期刊：《真空科学与技术学报》《激光与光电子学进展》《Journal of Semiconductors》《微电子技术》更多>>
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基于DMD光刻制作微柱透镜阵列分模曝光的研究被引量：1
《真空科学与技术学报》2016年第12期1441-1445,共5页张恒煦 董连和 王丽 孙艳军 冷雁冰 吴博琦 李哲 刘顺瑞 
针对无掩模光刻技术制作微柱透镜阵列的面形精度问题,对曝光方式和掩模设计进行研究,采用一种分模曝光方法,包括图形分层,掩模设计,分层掩模灰度调制,分层曝光四个步骤。在曝光前,需要对二维掩模版图按设计结构高度进行分层,以实现单层...
关键词：无掩模光刻 数字微镜 灰度掩模 微柱透镜阵列 分模曝光 
表面等离子体近场光刻制作二维纳米阵列被引量：2
《微纳电子技术》2010年第1期60-63,共4页李海军 林文魁 张晓东 王逸群 曾春红 赵德胜 王敏锐 张宝顺 
苏州市科技发展计划(ZXG0712)
重点介绍了采用表面等离子体增强效应的近场光刻制作亚微米结构的二维点阵图形的技术。在研究亚波长纳米孔阵列超透射现象基本原理的基础上,应用有限差分时域(FDTD)算法数值模拟了周期性孔阵列的电场强度分布,讨论了纳米孔阵列所激发的...
关键词：表面等离子体 近场光刻 纳米孔阵列 二维纳米阵列 金膜 
高阶布拉格光栅在SOI脊形波导上的光刻制作被引量：1
《半导体光电》2009年第3期381-384,共4页冉启江 韩培德 全宇军 高利朋 曾凡平 赵春华 
国家自然科学基金项目(60477020;60776046);国家自然科学面上基金项目(60537010);国家"973"计划项目(2006CB302802)
在SOI脊形波导上通过光刻的方法制作了高阶布拉格光栅。采用顶层Si厚为2μm的SOI基片，通过半导体芯片制备中的光刻工艺，在脊高为935nm，波导宽度为2肛m的脊形波导上，分别制作了刻蚀深度为565nm和935nm的起伏型高阶布拉格光栅，测试...
关键词：Si基光电子 高阶布拉格光栅 脊形波导 光刻 SOI 
DUV投影光刻制作T型栅
《微纳电子技术》2009年第5期311-313,318,共4页杨中月 
描述了一种采用化学方法的分辨率增强技术制作深亚微米T型栅的技术。该技术采用DUV投影光刻机和化学放大正性光刻胶(CAR)以及分辨率增强技术,在完成源漏制作等工艺的严重不平坦的GaAs衬底上,采用0.25μm设计的光刻版制作出0.18μmT型栅...
关键词：T型栅 深紫外 化学放大胶 分辨率增强技术 砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管 单片微波集成电路 
多光点扫描数字光刻制作DOE的方法研究被引量：4
《四川大学学报（自然科学版）》2007年第6期1315-1320,共6页方亮 段茜 郭小伟 王景全 张志友 杜惊雷 
国家自然科学基金(60676024;60376021);微细加工光学技术国家重点实验室基金
在DMD(Digital Micromirror Device)数字光刻系统中使用微透镜阵列聚焦可在像面获得灰度点阵图形,若曝光的同时基底按预设计的方式同步扫描,则可形成所需求的曝光场分布.这一方法用于衍射微光学元件(DOE)制作,可方便快捷获得高质量的连...
关键词：DMD 数字光刻 分辨率 扫描 DOE 
用多光子光刻制作65nm聚合物结构
《集成电路应用》2007年第8期25-25,共1页Aaron Hand 
常规光刻方法通过利用电路设计每一层的掩膜版来进行曝光和显影．从而形成图案。佐治亚理工学院（GeorgiaInstitute of Technology）的研究人员正在研究一种多光子光刻技术，不再需要掩膜版就可以制作出65nm的三维聚合物线条结构。
关键词：聚合物结构 光刻技术 多光子 制作 电路设计 研究人员 掩膜版 
^(52)Cr原子光刻制作纳米结构研究被引量：2
《量子电子学报》2007年第1期85-88,共4页张文涛 李同保 
上海市科学技术发展基金项目(0259nm034)资助
纳米结构制作技术中,原子光刻具有独特的优势。为了能够达到纳米制作的要求,并得到所需的沉积条纹,设计了一套实验装置,并分别对原子光刻技术中的原子源、激光系统、稳频系统、原子准直系统和沉积结果进行具体的分析。根据所设计的实验...
关键词：原子光学 纳米结构 原子光刻 沉积图案 
电子束和X射线光刻制作高分辨率微波带片被引量：6
《Journal of Semiconductors》2006年第6期1147-1150,共4页王德强 曹磊峰 谢常青 叶甜春 
国家自然科学基金(批准号:60276019);国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA843082);教育部"同步辐射创新中心"研究生创新基金资助项目~~
在硅为衬底材料的自支撑氮化硅薄膜上,采用阴阳图形互换转移技术,先使用电子束直写方法制作成功了最外环为150nm的阳图形微波带片,然后用同步辐射X射线光刻技术复制成功了最外环为150nm的阴图形微波带片,得到可以应用于ICF诊断技术中的...
关键词：电子束 X射线光刻 微波带片 菲涅耳波带片 
用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅被引量：3
《Journal of Semiconductors》2004年第3期358-360,共3页孙加兴 叶甜春 陈大鹏 谢常青 伊福庭 
采用三层胶工艺 X射线光刻制作 T型栅 ,一次曝光 ,分步显影 ,基本解决了不同胶层间互融的问题 .该方法制作效率高 ,所制作的 T型栅形貌好 ,头脚比例可控 ,基本满足器件制作要求 .
关键词：X射线光刻 PHEMT T型栅 三层胶工艺 
同步辐射x射线光刻制作深亚微米T形栅
《微纳电子技术》2002年第6期39-41,共3页谢常青 陈大鹏 李兵 叶甜春 
x射线光刻非常适合用于深亚微米T形栅的制作,这是因为它的高分辨率、大的曝光视场和高的生产效率足以满足MMIC制造工艺的要求。本文中我们首先对我们的x射线掩模制造工艺进行介绍,然后论述了一种用于制造深亚微米T形栅的两层胶工艺,介...
关键词：光刻制作 深亚微米 T形栅 X射线掩模 X射线光刻 同步辐射 
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