用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅  

Tri-Layer Resist Fabrication Technology of T-Shaped Gate Using X-Ray Lithography

作　　者：孙加兴[1] 叶甜春[1] 陈大鹏[1] 谢常青[1] 伊福庭[2] 

机构地区：[1]中国科学院微电子中心,北京100029 [2]中国科学院高能物理研究所,北京100039

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第3期358-360,共3页半导体学报（英文版）

摘　　要：采用三层胶工艺 X射线光刻制作 T型栅 ,一次曝光 ,分步显影 ,基本解决了不同胶层间互融的问题 .该方法制作效率高 ,所制作的 T型栅形貌好 ,头脚比例可控 ,基本满足器件制作要求 .The tri-layer resist technology is used to fabricate T-shaped gate.The fabrication efficiency is high.The shape of T-shaped gate is perfect.The ratio of head to footprint of the T-shaped gate is controllable.The way meets the need of the device fabrication.

关 键 词：X射线光刻 PHEMT T型栅 三层胶工艺 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]