电子束和X射线光刻制作高分辨率微波带片  

Fabrication of Micro Zone Plates by E-Beam and X-Ray Lithography

作　　者：王德强[1] 曹磊峰[2] 谢常青[1] 叶甜春[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术实验室,北京100029 [2]中国工程物理研究院激光聚变研究中心,绵阳621900

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第6期1147-1150,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60276019);国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA843082);教育部"同步辐射创新中心"研究生创新基金资助项目~~

摘　　要：在硅为衬底材料的自支撑氮化硅薄膜上,采用阴阳图形互换转移技术,先使用电子束直写方法制作成功了最外环为150nm的阳图形微波带片,然后用同步辐射X射线光刻技术复制成功了最外环为150nm的阴图形微波带片,得到可以应用于ICF诊断技术中的微波带片.This paper introduces a method for fabricating state-of-the-art micro-zone plates（MZP） on free-standing silicon nitride based on silicon using electron beam lithography and positive resist ZEP 520A. A bright field MZP master mask with an outermost width of 150nm is fabricated with an e-beam machine. In order to get the dark field high aspect ratio and the batch product of the MZP,we replicate the MZP mask by using synchrotron radiation X-ray lithography（XRL）. Finally,we successfully replicate an MZP for an ICF diagnostics experiment.

关 键 词：电子束 X射线光刻 微波带片 菲涅耳波带片 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]