光学光刻

作品数：103被引量：209H指数：8
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：谢常青刘明陈大鹏童志义陈宝钦更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所中国科学院信越化学工业株式会社四川大学更多>>
相关期刊：《微细加工技术》《中国集成电路》《电子科技文摘》《电子显微学报》更多>>
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计算光刻研究及进展被引量：9
《激光与光电子学进展》2022年第9期112-160,共49页马旭 张胜恩 潘毅华 张钧碧 余成臻 董立松 韦亚一 
国家科技重大专项(2017ZX02315001-003);国家自然科学基金(61675021)。
光刻是将集成电路器件的结构图形从掩模转移到硅片或其他半导体基片表面上的工艺过程,是实现高端芯片量产的关键技术。在摩尔定律的推动下,光刻技术跨越了90~7 nm及以下的多个工艺节点,逐步逼近其分辨率的物理极限。同时,光刻系统的衍...
关键词：计算光刻 分辨率增强技术 先进半导体制造工艺 光学光刻 计算光学 光电图像处理 
基于光学光刻技术的PDMS微纳敏感结构薄膜加工工艺研究
《真空科学与技术学报》2020年第6期560-563,共4页章城 赵天晨 廖宁波 
浙江省自然科学基金项目(LQ20E050023);浙江省自然科学基金项目(LQ20E050004)温州市基础性工业科技项目(G20190014);国家自然科学基金项目(51202164)。
利用光学光刻技术进行多种形状规格聚二甲基硅氧烷(PDMS)微纳敏感结构的并行加工。研究了基于光学光刻技术的PDMS微纳敏感结构薄膜加工工艺,并加工出不同形状、、不同大小的PDMS微纳敏感结构。此外,对加工后的PDMS微纳敏感结构薄膜进行...
关键词：光学光刻 微纳结构 聚二甲基硅氧烷 结构薄膜 纳米技术 
刀口半影最小化的光刻机扫描狭缝研究被引量：2
《光学精密工程》2018年第5期1046-1053,共8页林栋梁 张方 黄惠杰 
上海市科技人才计划资助项目(No.17YF1429500);政府间国际科技创新合作重点专项资助项目(No.2016YFE0110600);上海市国际科技合作基金资助项目(No.16520710500)
扫描狭缝是步进扫描光刻机中控制曝光剂量的重要单元,而扫描狭缝产生过大的刀口半影会影响曝光性能。首先,根据步进扫描光刻机照明原理,通过分析掩模面上光强分布与扫描狭缝刀口厚度及位置的相对关系,推导出掩模面上刀口半影宽度的计算...
关键词：光学光刻 步进扫描 扫描狭缝 同步 刀口半影 
光学光刻设备发展和展望被引量：2
《电子测试》2016年第5期125-125,121,共2页李立文 
在半导体技术和制造的发展中,半导体加工技术中最为关键的光刻技术和光刻工艺设备,必将发生显著的变化,本文将对光刻技术和光刻设备的发展历史进行简述,并展望未来光刻技术的趋势。
关键词：光学光刻 设备 发展 
表面等离子体超衍射光学光刻被引量：7
《科学通报》2016年第6期585-599,共15页王长涛 赵泽宇 高平 罗云飞 罗先刚 
国家重点基础研究发展计划(2013CBA01700);国家自然科学基金(61575204)资助
由于光波衍射特性,传统光学光刻面临分辨力衍射极限限制,成为传统光学光刻技术发展的原理性障碍。表面等离子体（surface plasmon,SP）是束缚在金属介质界面上的自由电子密度波,具有突破衍射极限传输、汇聚和成像的独特性能。近年来,通...
关键词：表面等离子体 光学光刻 超分辨 衍射极限 
EUV光刻技术的挑战被引量：2
《电子工业专用设备》2015年第5期1-12,共12页程建瑞 
光刻机的分辨率是基于瑞利分辨率公式R=k1λ/NA,提高分辨率的途径是缩短曝光光源的波长和提高投影物镜的数值孔径。目前主流市场使用的是193 nm浸没光刻机多曝光技术,已经实现16 nm技术节点的集成电路大规模生产。相对于193 nm浸没光刻...
关键词：光学光刻技术 极紫外光刻技术 EUV 双曝光技术 大规模生产 高分辨率 集成电路 光学测量技术 
一种增大工艺窗口的光源优化方法被引量：2
《激光与光电子学进展》2015年第10期151-157,共7页江海波 邢廷文 
离轴照明(OAI)作为一种重要的分辨力增强技术(RET),不仅可以提高光刻分辨力,而且对焦深(DOF)也有一定程度的改善。针对特定的掩模图形,采用何种离轴照明模式能最大程度地改善光刻成像性能是主要研究的内容。通过优化设计的方法来获得最...
关键词：成像系统 光学光刻 离轴照明 光源优化 
基于混合梯度下降的高性能光刻机离轴照明衍射光学元件设计被引量：17
《光学学报》2015年第1期354-362,共9页宋强 朱菁 王健 张方 吕向博 杨宝喜 黄惠杰 
国家科技重大专项(2011ZX020402);国家国际科技合作专项(2011DFR10010);上海市青年科技英才扬帆计划(14YF1406300)
深紫外(DUV)光刻机照明系统普遍采用衍射光学元件(DOE)实现光瞳整形。根据光刻机的指标要求,衍射光学元件应具有高衍射效率和高均匀性的特点。传统的相位恢复算法如Gerchberg-Saxton(GS)及其改进算法,一般只能通过降低均匀性来提高衍射...
关键词：光学设计 光学光刻 光瞳整形 衍射光学元件设计 部分相干光 
深亚微米光学光刻设备制造技术研究被引量：1
《电子技术与软件工程》2015年第1期153-153,共1页钟闽和 
光学光刻在不断发展,促进了集成电路的制造,提高了其制造水平。光学光刻的分辨率在逐步提高,其设备面对着巨大的挑战。本文将对深亚微米光学光刻设备制造技术展开研究。
关键词：光学光刻 光源 透镜 对准套刻 
纳米压印光刻技术及其发展现状
《纳米科技》2012年第3期80-81,共2页李洪珠 
纳米压印光刻技术的研究始于普林斯顿大学纳米结构实验室Stephen Y．Chou教授，是将一具有纳米图案的模版以机械力（高温、高压）在涂有高分子材料的硅基板上等比例压印复制纳米图案，其加工分辨力只与模版图案的尺寸有关，而不受光学...
关键词：光刻技术 纳米压印 纳米图案 普林斯顿大学 光学光刻 高分子材料 微光学元件 掩模版 
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