光学光刻技术

作品数：30被引量：46H指数：4
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基于光学光刻技术的PDMS微纳敏感结构薄膜加工工艺研究
《真空科学与技术学报》2020年第6期560-563,共4页章城 赵天晨 廖宁波 
浙江省自然科学基金项目(LQ20E050023);浙江省自然科学基金项目(LQ20E050004)温州市基础性工业科技项目(G20190014);国家自然科学基金项目(51202164)。
利用光学光刻技术进行多种形状规格聚二甲基硅氧烷(PDMS)微纳敏感结构的并行加工。研究了基于光学光刻技术的PDMS微纳敏感结构薄膜加工工艺,并加工出不同形状、、不同大小的PDMS微纳敏感结构。此外,对加工后的PDMS微纳敏感结构薄膜进行...
关键词：光学光刻 微纳结构 聚二甲基硅氧烷 结构薄膜 纳米技术 
EUV光刻技术的挑战被引量：2
《电子工业专用设备》2015年第5期1-12,共12页程建瑞 
光刻机的分辨率是基于瑞利分辨率公式R=k1λ/NA,提高分辨率的途径是缩短曝光光源的波长和提高投影物镜的数值孔径。目前主流市场使用的是193 nm浸没光刻机多曝光技术,已经实现16 nm技术节点的集成电路大规模生产。相对于193 nm浸没光刻...
关键词：光学光刻技术 极紫外光刻技术 EUV 双曝光技术 大规模生产 高分辨率 集成电路 光学测量技术 
微光刻与微/纳米加工技术(续)被引量：6
《微纳电子技术》2011年第2期69-73,共5页陈宝钦 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006CB0N0604);国家自然科学基金项目(61078060);基础科研项目(B1020090022)
2下一代光刻技术 虽然光学光刻技术为微电子技术突飞猛进的发展立下了汗马功劳,创造了一次又一次的人间奇迹,然而目前集成电路特征尺寸也越来越接近物理极限。为开发研究新一代的光刻技术,近年来世界各大国和各国著名的大公司联合开展...
关键词：纳米加工技术 下一代光刻技术 微光刻 研究与开发 光学光刻技术 微电子技术 物理极限 特征尺寸 
光学光刻技术的历史演变被引量：3
《电子工业专用设备》2008年第4期28-32,共5页马建军 
简要回顾了光学光刻技术的发展历程,从IC技术节点微细化要求对光刻技术的挑战方面讨论了光学光刻技术的发展趋势及进入32nm技术节点的可能性。
关键词：光学光刻 缩小步进光刻 步进扫描光刻 浸没式光刻 双重图形光刻 
《半导体国际》第三届光刻技术研讨会
《集成电路应用》2007年第7期20-20,共1页
光刻作为推动半导体制造技术的关键工艺一直以来备受业界的关注。近年来，随着器件尺寸的不断缩小，作为现有光学光刻技术的延伸，浸没式光刻因其能获得更高的数值孔径而实现更高的分辨率为业界所追捧，然而在以0.15微米以上技术为主流...
关键词：光学光刻技术 技术研讨会 《半导体国际》 半导体制造业 半导体制造技术 关键工艺 器件尺寸 数值孔径 
高折射率镜头推动浸没式光刻跨越32纳米被引量：2
《集成电路应用》2006年第6期15-15,共1页Aaron Hand 
在今年的SPIE Microlithography年会上，与会的专家们一如既往地针对如何延伸光学光刻技术使用寿命的问题进行了大量的研讨。而与往年会议不同的是，尽管有人心存疑虑，但今年的会议仍然对双重曝光技术打开了友善之门。关于这项技术，...
关键词：光学光刻技术 32纳米 高折射率 浸没式 跨越 镜头 SPIE 使用寿命 曝光技术 生产工艺 
90nm与65nm光刻工艺各有千秋
《半导体行业》2006年第1期38-40,共3页翁寿松 
2003年下半年起英特尔等世界顶级IC公司陆续量产90nm芯片，比国际半导体技术蓝图ITRS2001／2003要求2004年实现90nm工艺的规划提前了一年。2005年底、2006年初世界半导体市场“霸主”英特尔量产65nm芯片，比ITRS2003要求2007年实现65nm...
关键词：光刻工艺 90nm工艺 65nm工艺 光学光刻技术 半导体技术 半导体市场 大数值孔径 金属布线 金属互连 特征尺寸 
微纳加工技术在微纳电子器件领域的应用被引量：5
《物理》2006年第1期47-50,共4页刘明 陈宝钦 谢常青 王丛舜 龙世兵 徐秋霞 李志钢 易里成荣 涂德钰 
国家自然科学基金(批准号:60276019;90207004;60236010;60290081)资助项目
微纳加工技术推动着集成电路不断缩小器件尺寸和提高集成度,光学光刻技术依然是目前的主流微纳加工技术,同时有多种替代技术如电子束直写、极紫外光刻和投影电子束技术,文章介绍了自上而下的微纳加工技术的进展及其在微纳器件研制的重...
关键词：纳米加工 纳米器件 微纳加工技术 光学光刻技术 
光学光刻技术向纳米制造挺进
《电子工业专用设备》2004年第3期22-26,共5页葛劢冲 刘玄博 
概述了光学光刻技术向纳米制造挺进过程中光源、光学系统、照明技术、掩模设计、抗蚀剂、光学邻近效应校正、工作台等方面的进展以及光学光刻技术在大批量生产应用中的优势,并介绍了国外开发极紫外光刻技术的技术指标,预测了光学光刻技...
关键词：光学光刻 光学邻近效应校正 下一代光刻 纳米制造 优势与前景 
高能电子束纳米曝光系统的研制
《电子显微学报》2003年第6期641-642,共2页田丰 韩立 顾文琪 
关键词：高能电子束纳米曝光系统 微电子产业 半导体器件 光学光刻技术 电子束曝光技术 高分辨 
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